УКАЗ

ПРЕЗИДЕНТА РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ОБ УТВЕРЖДЕНИИ СПИСКА

ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ

БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ

И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ

В целях защиты национальных интересов, выполнения международных обязательств Российской Федерации и в соответствии со статьей 6 Федерального закона от 18 июля 1999 г. N 183-ФЗ "Об экспортном контроле" постановляю:

1. Утвердить прилагаемый Список товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль.

2. Установить, что коды единой Товарной номенклатуры внешнеэкономической деятельности Евразийского экономического союза, приведенные в Списке товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль, при необходимости могут уточняться Федеральной таможенной службой по согласованию с Федеральной службой по техническому и экспортному контролю.

3. Признать утратившими силу:

Указ Президента Российской Федерации от 5 мая 2004 г. N 580 "Об утверждении Списка товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2004, N 19, ст. 1881);

Указ Президента Российской Федерации от 1 декабря 2005 г. N 1384 "О внесении изменений в Список товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2005, N 49, ст. 5201);

Указ Президента Российской Федерации от 6 марта 2008 г. N 326 "О внесении изменений в Указ Президента Российской Федерации от 5 мая 2004 г. N 580 "Об утверждении Списка товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль" и в Список, утвержденный этим Указом" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2008, N 10, ст. 912);

Указ Президента Российской Федерации от 4 декабря 2008 г. N 1726 "О внесении изменений в Список товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль, утвержденный Указом Президента Российской Федерации от 5 мая 2004 г. N 580" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2008, N 50, ст. 5893).

4. Настоящий Указ вступает в силу через три месяца со дня его официального опубликования.

Президент

Российской Федерации

Д.МЕДВЕДЕВ

Москва, Кремль

17 декабря 2011 года

N 1661

Утвержден

Указом Президента

Российской Федерации

от 17 декабря 2011 г. N 1661

СПИСОК

ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ

БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ

И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ

РАЗДЕЛ 1

N пункта
Наименование "*"
Код ТН ВЭД "**"
КАТЕГОРИЯ 1. СПЕЦИАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ И СВЯЗАННЫЕ С НИМИ ОБОРУДОВАНИЕ И СНАРЯЖЕНИЕ
1.1.
Системы, оборудование и компоненты
1.1.1.
Компоненты, изготовленные из фторированных соединений:
--------------------------------
"*" См. общее примечание к настоящему Списку.
"**" Здесь и далее код ТН ВЭД - код единой Товарной номенклатуры внешнеэкономической деятельности Евразийского экономического союза.
1.1.1.1.
Уплотнения, прокладки, уплотнительные материалы или топливные диафрагмы, специально разработанные для использования в летательных или аэрокосмических аппаратах и изготовленные из материалов, содержащих более 50% (по весу) любого материала, определенного в пункте 1.3.9.2 или 1.3.9.3;
3919 90 000 0
1.1.1.2 - 1.1.1.3.
Исключены. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
1.1.2.
Конструкции из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, имеющие любую из следующих составляющих:
1.1.2.1.
Состоящие из органической матрицы и материалов, определенных в пункте 1.3.10.3, 1.3.10.4 или 1.3.10.5; или
3926 90 920 0;
3926 90 970
1.1.2.2.
Состоящие из металлической или углеродной матрицы и любого из следующего:
1.1.2.2.1.
Углеродных волокнистых или углеродных нитевидных материалов, имеющих все следующие характеристики:
3801;
3926 90 920 0;
3926 90 970;
6903 10 000 0
а) удельный модуль упругости, превышающий 10,15 x 106 м; и
б) удельную прочность при растяжении, превышающую 17,7 x 104 м; или
Примечание.
Пункт 1.1.2.2.1 не применяется к частично изготовленным конструкциям, включающим максимум двухмерное сплетение нитей и специально разработанным для следующего использования:
а) в печах для отпуска металлов термообработкой;
б) в оборудовании для производства кремниевых булей
1.1.2.2.2.
Материалов, определенных в пункте 1.3.10.3
Примечания:
1. Пункт 1.1.2 не применяется к элементам конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, изготовленным из пропитанных эпоксидной смолой углеродных волокнистых или нитевидных материалов, для ремонта гражданских летательных аппаратов, имеющим все следующее:
а) площадь, не превышающую 1 м2;
б) длину, не превышающую 2,5 м; и
в) ширину более 15 мм.
2. Пункт 1.1.2 не применяется к частично изготовленным конструкциям, специально разработанным для следующего только гражданского использования:
а) в спортивных товарах;
б) в автомобильной промышленности;
в) в станкостроительной промышленности;
г) в медицинских целях.
3. Пункт 1.1.2 не применяется к полностью изготовленным товарам (конструкциям), специально разработанным для конкретного использования
Особое примечание.
В отношении конструкций из композиционных материалов, указанных в пунктах 1.1.2 - 1.1.2.2.2, см. также пункты 1.1.1 - 1.1.1.2.2 раздела 2 и пункт 1.1.1 раздела 3
1.1.3.
Изделия из неплавких ароматических полиимидов в виде пленки, листа, ленты или полосы, имеющие любую из следующих характеристик:
3919 90 000 0;
3920 99 900 0
а) толщину более 0,254 мм; или
б) покрытие или ламинирование углеродом, графитом, металлами или магнитными веществами
Примечание.
Пункт 1.1.3 не применяется к изделиям, покрытым или ламинированным медью и разработанным для производства электронных печатных плат
Особое примечание.
Для плавких ароматических полиимидов в любом виде см. пункт 1.3.8.1.3
1.1.4.
Защитное снаряжение, аппаратура систем обнаружения и комплектующие изделия, не специально разработанные для военного применения:
1.1.4.1.
Противогазы, фильтрующие коробки противогазов и оборудование для их обеззараживания, разработанные либо модифицированные для защиты от любого из нижеприведенных поражающих факторов, а также специально разработанные для них компоненты:
9020 00 000 0
а) бактериологических (биологических) агентов;
б) радиоактивных материалов, которые могут быть использованы в военных целях;
в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии; или
г) химических средств для борьбы с массовыми беспорядками, включающих:
-бромбензацетонитрил (бромбензил цианид) (CA) (CAS 5798-79-8);
[(2-хлорфенил) метилен] пропандинитрил (о-хлорбензальмалононитрил) (CS) (CAS 2698-41-1);
2-хлор-1-фенил-этанон, хлористый фенацил (-хлорацетофенон) (CN) (CAS 532-27-4);
дибенз-(b, f)-1,4-оксазепин (CR) (CAS 257-07-8);
10-хлор-5,10-дигидрофенарсазин, (хлористый фенарсазин), (адамсит) (DM) (CAS 578-94-9);
N-нонилморфолин (MPA) (CAS 5299-64-9)
Примечание.
Пункт 1.1.4.1 включает противогазы с принудительной подачей воздуха, разработанные или модифицированные для защиты от поражающих факторов, перечисленных в пункте 1.1.4.1
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
Техническое примечание.
Для целей пункта 1.1.4.1:
а) противогазами также называются полнолицевые маски;
б) фильтрующие коробки противогазов также включают фильтрующие картриджи;
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.1.4.2.
Защитные костюмы, перчатки и обувь, специально разработанные или модифицированные для защиты от любого из нижеприведенных поражающих факторов:
3926 20 000 0;
4015 19 000 0;
4015 90 000 0;
6204 23;
6210 40 000 0;
6210 50 000 0;
6216 00 000 0;
6401 92;
6401 99 000 0;
6402 91;
6402 99 100 0;
6402 99 930 0;
6404 19 900 0
а) бактериологических (биологических) агентов;
б) радиоактивных материалов, которые могут быть использованы в военных целях; или
в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии;
1.1.4.3.
Системы, специально разработанные или модифицированные для обнаружения или распознавания любого из нижеприведенных поражающих факторов, а также специально разработанные для них компоненты:
9027 10 100 0;
9027 10 900 0;
9027 80 170 0;
9027 80 990 0;
9027 90 800 0;
9030 10 000 0;
9030 89 300 0;
9030 89 900 9;
9030 90 850 0;
а) бактериологических (биологических) агентов;
б) радиоактивных материалов, которые могут быть использованы в военных целях; или
в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии
1.1.4.4.
Электронное оборудование и его компоненты, разработанные для автоматического обнаружения или распознавания наличия следов взрывчатых веществ (ВВ) с использованием методов их обнаружения (например, поверхностной акустической волны, спектрометрии подвижных ионов, в том числе с дифференциальной подвижностью, масс-спектрометрии)
9027 10 100 0
9027 30 000 0
9027 80 170 0
9027 90 800 0
9030 89 300 0
Техническое примечание.
Под обнаружением следов понимается обнаружение менее миллионной части испарения или 1 мг твердого вещества или жидкости
Примечание.
Пункт 1.1.4.4 не применяется:
а) к оборудованию, специально разработанному для лабораторного использования;
б) к пропускным порталам безопасности для бесконтактного контроля
Примечание.
Пункт 1.1.4 не применяется:
а) к персональным радиационным дозиметрам;
б) к снаряжению или системам, применяемым в системе стандартов безопасности труда, конструктивно или функционально ограниченным защитой от факторов риска в целях обеспечения безопасности в гражданской области, например:
в горном деле;
при работе в карьерах;
в сельском хозяйстве;
в фармацевтической промышленности;
в медицинской промышленности;
в ветеринарии;
при работах по охране окружающей среды;
при сборе и утилизации отходов;
в пищевой промышленности
Технические примечания:
1. Пункт 1.1.4 включает снаряжение, системы и их компоненты, которые были сертифицированы, либо их работоспособность в отношении обнаружения или защиты от радиоактивных материалов, которые могут быть использованы в военных целях, бактериологических (биологических) агентов, токсичных химикатов, используемых в химическом оружии, имитирующих продуктов (заменителей) или химических средств для борьбы с массовыми беспорядками была подтверждена испытаниями, проведенными в соответствии с национальными стандартами, или иным способом, даже если такие системы, снаряжение или их компоненты используются в гражданских областях, таких как горное дело, работы в карьерах, сельское хозяйство, фармацевтическая и медицинская промышленность, ветеринария, охрана окружающей среды, сбор и утилизация отходов или пищевая промышленность.
2. Имитирующие продукты (заменители) - вещества или материалы, которые используются вместо токсичных веществ (химических или биологических) для обучения, исследования, опробования или оценки.
3. Для целей пункта 1.1.4 бактериологическими (биологическими) агентами являются патогены или токсины, выделенные или модифицированные (например, с повышением чистоты, вирулентности, сохраняемости, устойчивости к воздействию ультрафиолетового излучения) для нанесения вреда человеку или животным, выведения из строя оборудования, нанесения ущерба урожаю или окружающей среде
1.1.5.
Бронежилеты и компоненты для них:
1.1.5.1.
Бронежилеты, изготовленные не по военным стандартам или техническим условиям или неравноценные им по характеристикам, и специально разработанные для них компоненты, в том числе (включая) гибкие защитные элементы;
6211 43 900 0
1.1.5.2.
Жесткие пластины для бронежилетов, обеспечивающие класс баллистической защиты, равный IIIA или менее в соответствии со стандартом Национального института юстиции США NIJ 0101.06 (июль 2008 г.) или его национальным эквивалентом
6914 90 000 0;
7326 19 100 0;
7326 19 900 9;
7326 90 940 9;
7326 90 980 7
Примечания:
1. Пункт 1.1.5 не применяется к бронежилетам, которые вывозятся пользователем для собственной индивидуальной защиты.
2. Пункт 1.1.5 не применяется к бронежилетам, разработанным для обеспечения только фронтальной защиты как от осколков, так и от взрыва невоенных взрывных устройств.
3. Пункт 1.1.5 не применяется к бронежилетам, разработанным для защиты только от колюще-режущих или тупых предметов
Особое примечание.
Для нитевидных и волокнистых материалов, используемых в производстве бронежилетов, см. пункт 1.3.10
1.1.6.
Оборудование, специально разработанное или модифицированное для обезвреживания самодельных взрывных устройств, приведенное ниже, а также специально разработанные компоненты и принадлежности для него:
1.1.6.1.
Дистанционно управляемые транспортные средства;
1.1.6.2
Подрыватели (разрушители)
8424 30;
8424 89 000 9;
8479 89 970 8
Техническое примечание.
Подрыватели (разрушители) - устройства, специально разработанные для предотвращения срабатывания взрывного устройства путем воздействия жидкостью, твердым или хрупким снарядом
Примечание.
Пункт 1.1.6 не применяется к оборудованию, которое не является предметом передачи или обмена и сопровождается его оператором
1.1.7.
Оборудование и устройства, специально разработанные для инициации зарядов и устройств, содержащих энергетические материалы, воздействием электричества:
1.1.7.1.
Запускающие устройства (запальные системы), разработанные для приведения в действие детонаторов взрывчатого вещества, определенных в пункте 1.1.7.2;
8543 70 900 0;
9306 90 900 0
1.1.7.2.
Электродетонаторы взрывчатого вещества, такие как:
3603 00 900
1.1.7.2.1.
Детонаторы со взрывающимся мостиком (ВМ) (искровые детонаторы);
1.1.7.2.2.
Детонаторы со взрывающейся перемычкой из провода (токовые детонаторы);
1.1.7.2.3.
Детонаторы с ударником (пробойником) (детонаторы ударного действия);
1.1.7.2.4.
Инициаторы со взрывающейся фольгой
Технические примечания:
1. Понятие "детонатор" также включает понятие "инициатор" или "зажигатель".
2. Для целей пункта 1.1.7.2 во всех описанных в нем детонаторах используется небольшой электрический проводник (мостик, перемычка из провода или фольга), который испаряется со взрывом, вызванным прохождением через него короткого сильноточного электрического импульса. В детонаторах безударного действия взрывающийся проводник инициирует химическую детонацию в контактирующем с ним бризантном взрывчатом веществе, таком как ТЭН (PETN) - тетранитропентаэритрит. В детонаторах ударного действия (типа "Слэппер") вызванное взрывом испарение электрического проводника приводит в действие боек или пробойник, который воздействует на взрывчатое вещество и инициирует химическую детонацию. В некоторых конструкциях ударник приводится в движение силой магнитного поля. Термин "инициатор со взрывающейся фольгой" может относиться как к ВМ, так и к детонатору ударного действия (типа "Слэппер")
1.1.8.
Заряды, устройства и компоненты:
3604 90 000 0
1.1.8.1.
Кумулятивные заряды, имеющие все нижеперечисленные характеристики:
а) количество нетто ВВ (КНВ) более 90 г; и
б) внешний диаметр оболочки, равный или больше 75 мм;
1.1.8.2.
Кумулятивные линейные заряды для резки, имеющие все нижеперечисленные характеристики, и специально разработанные для них компоненты:
а) заряд ВВ более 40 г/м; и
б) ширину, равную или больше 10 мм;
1.1.8.3.
Шнур детонирующий с внутренним зарядом ВВ более 64 г/м;
1.1.8.4.
Резаки, отличные от определенных в пункте 1.1.8.2, и другие отрезные средства, имеющие КНВ более 3,5 кг
Техническое примечание.
Кумулятивные заряды - устройства, концентрирующие действие ВВ в процессе его взрыва
Примечание.
К зарядам и устройствам, определенным в пункте 1.1.8, относятся только те заряды, которые содержат ВВ, перечисленные в таблице к этому пункту, и их смеси

Таблица к пункту 1.1.8

Перечень взрывчатых веществ

N пункта
Наименование взрывчатых веществ
1.
Аминодинитробензофуроксан (ADNBF; 7-амино-4,6-динитробензофуразан-1-оксид) (CAS 97096-78-1)
2.
Цис-бис(5-тетранитразолато) тетраамин-кобальт (III) перхлорат (BNCP) (CAS 117412-28-9)
3.
Диаминодинитробензофуроксан (CL-14; 5,7-диамино-4,6-динитробензофуразан-1-оксид) (CAS 117907-74-1)
4.
Гексанитрогексаазаизовюрцитан (CL-20; HNIW) (CAS 135285-90-4); клатраты (соединения/включения) вещества CL-20
5.
2-(5-цианотетразолато)пентаамин-кобальт (III) перхлорат (CP) (CAS 70247-32-4)
6.
1,1-диамино-2,2-динитроэтилен (DADE; FOX7) (CAS 145250-81-3)
7.
Диаминотринитробензол (DATB) (CAS 1630-08-6)
8.
1,4-динитродифуразанопиперазин (DDFP)
9.
2,6-диамино-3,5-динитропиразин-1-оксид (DDPO; PZO) (CAS 194486-77-6)
10.
3,3'-диамино-2,2',4,4',6,6'-гексанитробифенил (DIPAM; дипикрамид) (CAS 17215-44-0)
11.
Динитрогликольурил (DNGU; DINGU) (CAS 55510-04-8)
12.
Фуразаны:
а) диаминоазоксифуразан (DAAOF);
б) диаминоазофуразан (DAAzF) (CAS 78644-90-3)
13.
Октоген (HMX) и его производные:
а) циклотетраметилентетранитрамин (HMX; октоген; октагидро-1,3,5,7-тетранитро-1,3,5,7-тетразин; 1,3,5,7-тетранитро-1,3,5,7-тетразациклооктан) (CAS 2691-41-0);
б) дифтораминированные аналоги октогена;
в) 2,4,6,8-тетранитро-2,4,6,8-тетраазабицикло [3,3,0]-октанон-3 (тетранитросемигликольурил; кето-бициклический октоген; K-55) (CAS 130256-72-3)
14.
Гексанитроадамантан (HNAD) (CAS 143850-71-9)
15.
Гексанитростильбен (HNS) (CAS 20062-22-0)
16.
Имидазолы:
а) октагидро-2,5-бис(нитроимино)имидазо [4,5-d]имидазол (BNNII);
б) 2,4-динитроимидазол (DNI) (CAS 5213-49-0);
в) 1-фтор-2,4-динитроимидазол (FDIA);
г) N-(2-нитротриазоло)-2,4-динитроимидазол (NTDNIA);
д) 1-пикрил-2,4,5-тринитроимидазол (PTIA)
17.
1-(2-нитротриазоло)-2-динитрометиленгидразин (NTNMH)
18.
3-нитро-1,2,4-триазол-5-он (NTO; ONTA) (CAS 932-64-9)
19.
Полинитрокубаны с числом нитрогрупп более четырех
20.
2,6-бис(пикриламино)-3,5-динитропиридин (PYX) (CAS 38082-89-2)
21.
Гексоген (RDH) и его производные:
а) циклотриметилентринитрамин (гексоген; RDX; циклонит; T4; гексагидро-1,3,5-тринитро-1,3,5-триазин; 1,3,5-тринитро-1,3,5-триазациклогексан) (CAS 121-82-4);
б) кето-гексоген (Keto-RDX; K-6; 2,4,6-тринитро-2,4,6-триазациклогексанон) (CAS 115029-35-1)
22.
Триаминогуанидиннитрат (TAGN) (CAS 4000-16-2)
23.
Триаминотринитробензол (TATB) (CAS 3058-38-6)
24.
3,3,7,7-тетрабис(дифторамин) октагидро-1,5-динитро-1,5-диазоцин (TEDDZ)
25.
Тетразолы:
а) нитротриазоламинотетразол (NTAT);
б) 1-N-(2-нитротриазоло)-4-нитротетразол (NTNT)
26.
Тринитрофенилметилнитрамин (тетрил) (CAS 479-45-8)
27.
1,4,5,8-тетранитро-1,4,5,8-тетраазадекалин (TNAD) (CAS 135877-16-6)
28.
1,3,3-тринитроазетидин (TNAZ) (CAS 97645-24-4)
29.
Тетранитрогликольурил (TNGU; SORGUYL) (CAS 55510-03-7)
30.
1,4,5,8-тетранитропиридазино[4,5-d]пиридазин (TNP) (CAS 229176-04-9)
31.
Триазины:
а) 2-окси-4,6-динитроамино-S-триазин (DNAM) (CAS 19899-80-0);
б) 2-нитроимино-5-нитро-гексагидро-1,3,5-триазин (NNHT) (CAS 130400-13-4)
32.
Триазолы:
а) 5-азидо-2-нитротриазол;
б) 4-амино-3,5-дигидразино-1,2,4-триазол динитрамид (ADHTDN) (CAS 1614-08-0);
в) 1-амино-3,5-динитро-1,2,4-триазол (ADNT);
г) бис(динитротриазол)амин) (BDNTA);
д) 3,3'-динитро-5,5-би-1,2,4-триазол (DBT) (CAS 30003-46-4);
е) динитробистриазол (DNBT) (CAS 70890-46-9);
ж) исключен. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519;
з) 1-N-(2-нитротриазоло) 3,5-динитротриазол (NTDNT);
и) 1-пикрил-3,5-динитротриазол (PDNT);
к) тетранитробензотриазолобензотриазол (TACOT) (CAS 25243-36-1)
33.
ВВ, не поименованные в настоящем перечне, имеющие при максимальной плотности скорость детонации более 8700 м/с или давление детонации более 34 ГПа (340 кбар)
34.
Исключен. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519
35.
Нитроцеллюлоза с содержанием азота более 12,5% (CAS 9004-70-0)
36.
Нитрогликоль (CAS 628-96-6)
37.
Тетранитропентаэритрит (пентаэритриттетранитрат; пентаэритритолтетранитрат; ТЭН; PETN) (CAS 78-11-5)
38.
Пикрилхлорид (CAS 88-88-0)
39.
2,4,6-тринитротолуол (TNT) (CAS 118-96-7)
40.
Нитроглицерин (NG) (CAS 55-63-0)
41.
Триацетонтрипероксид (TATP) (CAS 17088-37-8)
42.
Гуанидин нитрат (CAS 506-93-4)
43.
Нитрогуанидин (NQ) (CAS 556-88-7)
44.
2,4-динитроанизол (DNAN) (CAS 119-27-7)
(п. 44 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
45.
4,10-динитро-2,6,8,12-тетраокса-4,10-диазаизовюрцитан (TEX)
(п. 45 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
46.
динитрамид гуанил-мочевины (GUDN) FOX-12 (CAS 217464-38-5)
(п. 46 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
47.
Тетразины:
а) бис(2,2,2-тринитроэфир)-3,6-диаминотетразин (BTAT)
б) 3,6-диамино-1,2,4,5-тетразина-1,4-диоксид (LAX-112)
(п. 47 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
48.
Энергетические ионические материалы, плавящиеся при температурах от 343 K (70 °C) до 373 K (100 °C) и имеющие скорость детонации более 6800 м/с или давление взрывной волны более 18 ГПа (180 кбар)
(п. 48 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
49.
Бис (2,2,2-тринитроэтил) нитрамин (BTNEN) (CAS 19836-28-3)
(п. 49 введен Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

N пункта
Наименование
Код ТН ВЭД
1.2.
Испытательное, контрольное и производственное оборудование
1.2.1.
Оборудование, приведенное ниже, для производства или контроля конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, определенных в пункте 1.1.2, или волокнистых или нитевидных материалов, определенных в пункте 1.3.10, а также специально разработанные для него компоненты и вспомогательные устройства:
1.2.1.1.
Машины для намотки волокон, специально разработанные для производства конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры из волокнистых или нитевидных материалов, в которых движения, связанные с позиционированием, пропиткой и намоткой волокон, координируются и программируются по трем или более осям основного сервопозиционирования;
8445 40 000;
8445 90 000 1
1.2.1.2.
Машины для выкладки ленты, в которых движения, связанные с позиционированием и укладкой ленты, координируются и программируются по пяти или более осям основного сервопозиционирования и которые специально разработаны для производства элементов конструкций летательных аппаратов или ракет из композиционных материалов
8445 40 000;
8445 90 000 1
Техническое примечание.
Для целей пункта 1.2.1.2 машины для выкладки ленты имеют способность выкладки одной нитевидной ленты или более шириной от более 25 мм до 305 мм включительно, а также резки ленты и возобновления отдельных операций в течение процесса выкладки;
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.2.1.3.
Многокоординатные ткацкие машины или машины для плетения, включая приспособления и устройства, специально разработанные или модифицированные для плетения, ткачества или переплетения волокон для конструкций из композиционных материалов объемной структуры
8446 30 000 0;
8447 90 000
Техническое примечание.
Для целей пункта 1.2.1.3 плетение включает вязание;
1.2.1.4.
Оборудование, специально разработанное или приспособленное для производства армирующих волокон:
1.2.1.4.1.
Оборудование для превращения полимерных волокон (таких как полиакрилонитриловые, вискозные, пековые или поликарбосилановые) в углеродные или карбидкремниевые волокна, включая специальное оборудование для натяжения волокон при нагреве;
8456 10 00;
8456 40 000 0;
8456 90 000 0;
8515 80 900 0
1.2.1.4.2.
Оборудование для химического осаждения элементов или соединений из паровой фазы на нагретую нитевидную подложку в целях производства карбидкремниевых волокон;
8419 89 989 0
1.2.1.4.3.
Оборудование для получения тугоплавких керамических волокон (например, из оксида алюминия) по мокрому способу;
8445 90 000 9
1.2.1.4.4
Оборудование для преобразования путем термообработки волокон алюминийсодержащих прекурсоров в волокна оксида алюминия;
8514 10 800 0;
8514 20 100 0;
8514 20 800 0;
8514 30 000 0;
8514 40 000 0
1.2.1.5.
Оборудование для производства препрегов, определенных в пункте 1.3.10.5, методом горячего плавления;
8451 80 800 9;
8477 59 100 0;
8477 59 800 0
1.2.1.6.
Оборудование для неразрушающего контроля, специально разработанное для композиционных материалов, такое как:
1.2.1.6.1.
Системы рентгеновской томографии для трехмерного обнаружения дефектов;
9022 12 000 0;
9022 19 000 0;
9022 29 000 0
1.2.1.6.2.
Установки ультразвуковой дефектоскопии с числовым программным управлением, в которых перемещения для позиционирования трансмиттеров или приемников одновременно координируются и программируются по четырем или более осям, чтобы отслеживать трехмерные контуры обследуемого объекта;
9031 80 380 0
1.2.1.7.
Машины для выкладки жгута, в которых движения, связанные с позиционированием и укладкой жгута, координируются и программируются по двум или более осям основного сервопозиционирования и которые специально разработаны для производства элементов конструкций летательных аппаратов или ракет из композиционных материалов
8445 40 000;
8445 90 000 1
Техническое примечание.
Для целей пункта 1.2.1.7 машины для выкладки жгута имеют способность выкладки одной нитевидной ленты или более шириной 25 мм или менее, а также резки ленты и возобновления отдельных операций в процессе выкладки
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
Технические примечания:
1. Для целей пункта 1.2.1 основное сервопозиционирование (позиционирование от основного сервопривода) означает управление положением рабочего органа (например, головки) в пространстве с помощью задающей направление компьютерной программы для его точной ориентации относительно осей координат обрабатываемой детали и достижения заданных требований обработки.
2. Для целей пункта 1.2.1 нитевидной лентой является непрерывная полоса в виде ленты, выполненной из жгута или нити, полностью или частично пропитанных смолой
(технические примечания в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.2.2.
Оборудование, специально разработанное для исключения загрязнения при производстве металлических сплавов, порошков металлических сплавов или легированных материалов и использования в одном из процессов, определенных в пункте 1.3.2.3.2
1.2.3.
Инструменты, пресс-формы, матрицы или арматура для формообразования в условиях сверхпластичности или диффузионной сварки титана, алюминия или их сплавов, специально разработанные для производства любого из следующего:
8207 30 100 0
а) корпусных конструкций летательных аппаратов или авиационно-космических средств;
б) двигателей для летательных аппаратов или авиационно-космических средств; или
в) компонентов, специально разработанных для конструкций, определенных в подпункте "а" пункта 1.2.3, или двигателей, определенных в подпункте "б" пункта 1.2.3
1.3.
Материалы
Техническое примечание.
Термины "металлы" и "сплавы", если специально не оговорено иное, относятся к следующим необработанным формам и полуфабрикатам:
а) необработанные формы - аноды, блюмы, болванки, брикеты, бруски, гранулы, губка, дробь, катоды, кольца, кристаллы, спеки, заготовки металла неправильной формы, листы, окатыши, плитки, поковки, порошки, прутки (включая надрубленные прутки и заготовки для проволоки), слитки, слябы, стаканы, сутунки, чушки, шары;
б) полуфабрикаты (независимо от того, имеют они плакирование, покрытие, сверления, пробитые отверстия или нет):
1) материалы, подвергнутые обработке давлением или иным способом, полученные путем прокатки, волочения, штамповки выдавливанием, ковки, штамповки ударным выдавливанием, прессования, гранулирования, распыления и размалывания, а именно: диски, изделия прессованные и штампованные, кольца, ленты, листы, плиты, поковки, полосы, порошки, профили, прутки (включая непокрытые сварочные прутки, присадочную проволоку и катанку), пудры, трубы круглого и квадратного сечения, уголки, фасонные профили, фольга и тонкие листы, чешуйки, швеллеры;
2) отливки, полученные литьем в любые формы (песчаные, металлические, гипсовые и другие), включая полученные литьем под давлением, а также спеченные заготовки и заготовки, полученные методами порошковой металлургии.
Цель контроля не должна нарушаться при экспорте не указанных выше заготовок или полуфабрикатов, выдаваемых за готовые изделия, но, по существу, представляющих собой контролируемые заготовки или полуфабрикаты
1.3.1.
Материалы, специально разработанные для поглощения электромагнитных волн, или полимеры, обладающие собственной проводимостью:
1.3.1.1.
Материалы для поглощения электромагнитных волн в области частот от 2 x 108 Гц до 3 x 1012 Гц
3815 19;
3910 00 000 2;
3910 00 000 8
Примечания:
1. Пункт 1.3.1.1 не применяется:
а) к поглотителям войлочного типа, изготовленным из натуральных и синтетических волокон, содержащим немагнитный наполнитель;
б) к поглотителям, не имеющим магнитных потерь, рабочая поверхность которых не является плоской, включая пирамиды, конусы, клинья и спиралевидные поверхности;
в) к плоским поглотителям, имеющим все нижеперечисленные характеристики:
1) изготовленным из любых следующих материалов:
вспененных полимерных материалов (гибких или негибких) с углеродным наполнением или органических материалов, включая связующие, обеспечивающих более 5% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на 15%, и неспособных выдерживать температуры, превышающие 450 K (177 °C); или
керамических материалов, обеспечивающих более 20% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на 15%, и не способных выдерживать температуры, превышающие 800 K (527 °C)
Техническое примечание.
Для целей подпункта 1 пункта "в" примечания 1 к пункту 1.3.1.1 образцы для проведения испытаний на поглощение должны иметь форму квадрата со стороной не менее пяти длин волн средней частоты и располагаться в дальней зоне излучающего элемента;
2) прочность при растяжении менее 7 x 106 Н/м2; и
3) прочность при сжатии менее 14 x 106 Н/м2;
г) к плоским поглотителям, выполненным из спеченного феррита и имеющим все нижеперечисленные характеристики:
удельный вес более 4,4 г/см3; и
максимальную рабочую температуру 548 K (275 °C).
2. Магнитные материалы для обеспечения поглощения волн, указанные в примечании 1 к пункту 1.3.1.1, не освобождаются от контроля, если они содержатся в красках
1.3.1.2.
Материалы для поглощения волн на частотах, превышающих 1,5 x 1014 Гц, но ниже, чем 3,7 x 1014 Гц, и непрозрачные для видимого света
3815 19;
3910 00 000 2;
3910 00 000 8
Примечание.
Пункт 1.3.1.2 не применяется к материалам, специально разработанным или определенным для применения в лазерной маркировке или сварке полимеров;
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.3.1.3.
Электропроводящие полимерные материалы с объемной электропроводностью выше 10 000 См/м (Сименс/м) или поверхностным удельным сопротивлением менее 100 Ом/м2, полученные на основе любого из следующих полимеров:
1.3.1.3.1.
Полианилина;
3909 39 000 0
1.3.1.3.2.
Полипиррола;
3911 90 990 0
1.3.1.3.3.
Политиофена;
3911 90 990 0
1.3.1.3.4.
Полифенилен-винилена; или
3911 90 990 0
1.3.1.3.5.
Политиенилен-винилена
3919 90 000 0
Техническое примечание.
Объемная электропроводность и поверхностное удельное сопротивление должны определяться в соответствии со стандартной методикой ASTM D-257 или ее национальным эквивалентом
Примечание.
Пункт 1.3.1.3 не применяется к материалам в жидком виде
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
Особое примечание.
В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.1 - 1.3.1.3.5, см. также пункты 1.3.1 - 1.3.1.3.5 разделов 2 и 3
1.3.2.
Металлические сплавы, порошки металлических сплавов и легированные материалы следующих типов:
1.3.2.1.
Алюминиды:
1.3.2.1.1.
Алюминиды никеля, содержащие от 15 до 38% (по весу) алюминия и по крайней мере один дополнительный легирующий элемент;
7502 20 000 9
1.3.2.1.2.
Алюминиды титана, содержащие 10% (по весу) или более алюминия и по крайней мере один дополнительный легирующий элемент;
8108 20 000;
8108 90 300 9;
8108 90 500 9;
8108 90 600 2;
8108 90 600 8;
8108 90 900 9
1.3.2.2.
Металлические сплавы, приведенные ниже, изготовленные из порошков или частиц материалов, определенных в пункте 1.3.2.3:
1.3.2.2.1.
Никелевые сплавы с:
7502 20 000 9
а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 676 МПа и температуре 923 K (650 °C); или
б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 823 K (550 °C) и максимальном напряжении цикла 1095 МПа;
1.3.2.2.2.
Ниобиевые сплавы с:
8112 92 310 0;
8112 99 300 0
а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 400 МПа и температуре 1073 K (800 °C); или
б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 973 K (700 °C) и максимальном напряжении цикла 700 МПа;
1.3.2.2.3.
Титановые сплавы с:
8108 20 000;
8108 90 300 9;
8108 90 500 9;
8108 90 600 2;
8108 90 600 8;
8108 90 900 9
а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 200 МПа и температуре 723 K (450 °C); или
б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 723 K (450 °C) и максимальном напряжении цикла 400 МПа;
1.3.2.2.4.
Алюминиевые сплавы с пределом прочности при растяжении:
7601 20;
7604 29 100 9;
7608 20 810 8;
7608 20 890 7
а) 240 МПа или выше при температуре 473 K (200 °C); или
б) 415 МПа или выше при температуре 298 K (25 °C);
1.3.2.2.5.
Магниевые сплавы:
8104
а) с пределом прочности при растяжении 345 МПа или выше; и
б) со скоростью коррозии в 3-процентном водном растворе хлорида натрия менее 1 мм в год, измеренной в соответствии со стандартной методикой ASTM G-31 или ее национальным эквивалентом;
1.3.2.3.
Порошки металлических сплавов или частицы материала, имеющие все следующие характеристики:
1.3.2.3.1.
Изготовленные из любых следующих по составу систем:
Техническое примечание.
X в дальнейшем соответствует одному или более легирующим элементам
1.3.2.3.1.1.
Никелевые сплавы (Ni-Al-X, Ni-X-Al), для деталей или компонентов газотурбинных двигателей, содержащие менее трех неметаллических частиц размером более 100 мкм (введенных в процессе производства) на 109 частиц сплава;
7504 00 000 9
1.3.2.3.1.2.
Ниобиевые сплавы (Nb-Al-X или Nb-X-Al, Nb-Si-X или Nb-X-Si, Nb-Ti-X или Nb-X-Ti);
8112 92 310 0
1.3.2.3.1.3.
Титановые сплавы (Ti-Al-X или Ti-X-Al);
8108 20 000 5
1.3.2.3.1.4.
Алюминиевые сплавы (Al-Mg-X или Al-X-Mg, Al-Zn-X или Al-X-Zn, Al-Fe-X или Al-X-Fe); или
7603
1.3.2.3.1.5.
Магниевые сплавы (Mg-Al-X или Mg-X-Al); и
8104 30 000 0
1.3.2.3.2.
Изготовленные в контролируемой среде с использованием одного из нижеследующих процессов:
а) вакуумное распыление;
б) газовое распыление;
в) центробежное распыление;
г) скоростная закалка капли;
д) спиннингование расплава и последующее измельчение;
е) экстракция расплава и последующее измельчение;
ж) механическое легирование; или
з) плазменное распыление; и
1.3.2.3.3.
Могущие быть исходными материалами для получения сплавов, определенных в пункте 1.3.2.1 или 1.3.2.2;
1.3.2.4.
Легированные материалы, характеризующиеся всем нижеследующим:
7504 00 000 9;
7504 12 000 9;
7506;
7603 20 000 0;
7604 29 100 9;
7606 12 920 9;
7606 92 000 0;
7607 19;
8104 30 000 0;
8104 90 000 0;
8108 20 000;
8108 90 300 9;
8108 90 500 9;
8112 92 210 9;
8112 92 310 0;
8112 99 300 0
а) изготовлены из любых систем, определенных в пункте 1.3.2.3.1;
б) имеют форму неизмельченных чешуек, ленты или тонких стержней; и
в) изготовлены в контролируемой среде любым из следующих методов:
скоростная закалка капли;
спиннингование расплава; или
экстракция расплава
Примечание.
Пункт 1.3.2 не применяется к металлическим сплавам, порошкам металлических сплавов и легированным материалам, рецептура которых специально разработана для нанесения покрытий
Технические примечания:
1. К металлическим сплавам, указанным в пункте 1.3.2, относятся сплавы, которые содержат больший процент (по весу) указанного металла, чем любых других элементов.
2. Ресурс длительной прочности следует измерять в соответствии со стандартной методикой ASTM E-139 или ее национальным эквивалентом. 3. Малоцикловую усталость следует измерять в соответствии со стандартной методикой ASTM E-606 "Технические рекомендации по испытаниям на малоцикловую усталость при постоянной амплитуде" или ее национальным эквивалентом. Образцы должны нагружаться в осевом направлении при среднем значении показателя нагрузки, равном единице, и коэффициенте концентрации напряжения (Kt), равном единице. Средний показатель нагрузки определяется как частное от деления разности максимальной и минимальной нагрузок на максимальную нагрузку
1.3.3.
Магнитные металлические материалы всех типов и в любой форме, имеющие любую из следующих характеристик:
1.3.3.1.
Начальную относительную магнитную проницаемость 120 000 или более и толщину 0,05 мм или менее
8505 11 000 0;
8505 19 100 0;
8505 19 900 0;
Техническое примечание.
Измерение начальной относительной магнитной проницаемости следует проводить на полностью отожженных материалах;
1.3.3.2.
Магнитострикционные сплавы, имеющие любую из следующих характеристик:
2803 00 000 0;
2846 90 100 0;
2846 90 200 0;
2846 90 300 0;
2846 90 900 0
а) магнитострикцию насыщения более 5 x 10-4; или
б) коэффициент магнитомеханического взаимодействия (к) более 0,8; или
1.3.3.3.
Ленты из аморфных или нанокристаллических сплавов, имеющие все следующие характеристики:
7226 11 000 0;
7506;
8105
а) содержание железа, кобальта или никеля не менее 75% (по весу);
б) магнитную индукцию насыщения (Bs) 1,6 Т или более; и
в) любое из нижеследующего:
толщину ленты 0,02 мм или менее; или
удельное электрическое сопротивление 2 x 10-4 Ом·см или более
Техническое примечание.
К нанокристаллическим материалам, указанным в пункте 1.3.3.3, относятся материалы, имеющие размер кристаллических зерен 50 нм или менее, определенный методом рентгеновской дифракции
1.3.4.
Урано-титановые сплавы или вольфрамовые сплавы с матрицей на основе железа, никеля или меди, имеющие все следующие характеристики:
2844 10 900 0;
8101 94 000 0;
8101 96 000 0;
8101 99 100 0;
8101 99 900 0;
8108 20 000;
8108 90 300 9;
8108 90 500 9;
8108 90 600 2;
8108 90 600 8;
8108 90 900 9
а) плотность выше 17,5 г/см3;
б) предел упругости выше 880 МПа;
в) предел прочности при растяжении выше 1270 МПа; и
г) относительное удлинение более 8%
1.3.5.
Следующие сверхпроводящие проводники из композиционных материалов длиной более 100 м или массой, превышающей 100 г:
1.3.5.1.
Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько ниобийтитановых нитей, имеющих все нижеперечисленное:
8544
а) уложенных в матрицу не из меди или не на основе меди; и
б) имеющих площадь поперечного сечения менее 0,28 x 10-4 мм2 (6 мкм в диаметре для нитей круглого сечения);
1.3.5.2.
Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько сверхпроводящих нитей, выполненных не из ниобийтитана, имеющих все нижеперечисленное:
8544
а) критическую температуру при нулевом магнитном поле, превышающую 9,85 K (-263,31 °C); и
б) остающихся в сверхпроводящем состоянии при температуре 4,2 K (-268,96 °C) в магнитном поле, ориентированном в любых направлениях, перпендикулярных продольной оси проводника, и соответствующем магнитной индукции 12 Т, при пропускании электрического тока критической плотностью более 1750 А/мм2 по всему сечению проводника;
1.3.5.3.
Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько сверхпроводящих нитей, остающихся в сверхпроводящем состоянии при температуре выше 115 K (-158,16 °C)
8544
Техническое примечание.
Для целей пункта 1.3.5 нити могут быть в виде проволоки, цилиндра, пленки, ленты или полосы
1.3.6.
Жидкости и смазочные материалы:
1.3.6.1 - 1.3.6.1.2.
Исключены. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
1.3.6.2.
Смазочные материалы, содержащие в качестве основных составляющих следующие соединения или материалы:
1.3.6.2.1.
Фениленовые или алкилфениленовые эфиры или тиоэфиры или их смеси, содержащие более двух эфирных или тиоэфирных функциональных групп или их смесей; или
2909 30 900 0;
2930 60 000 0;
2930 80 000 0;
2930 90 950 0
1.3.6.2.2.
Фторированные кремнийорганические жидкости, имеющие кинематическую вязкость менее 5000 мм2/с (5000 сантистоксов) при температуре 298 K (25 °C);
3910 00 000 2;
3910 00 000 8
1.3.6.3.
Амортизаторные или флотационные жидкости, отвечающие всему следующему:
2903 76 900 0;
3904 69 200 0;
3904 69 800 0
а) имеющие чистоту более 99,8%;
б) содержащие менее 25 частиц размером 200 мкм или более на 100 мл; и
в) полученные по меньшей мере на 85% из любого из следующего:
дибромтетрафторэтана (CAS 25497-30-7, CAS 124-73-2, CAS 27336-23-8);
полихлортрифторэтилена (только маслообразные и воскообразные модификации); или
полибромтрифторэтилена;
1.3.6.4.
Фторуглеродные охлаждающие жидкости для электроники, имеющие все следующие характеристики:
2903 77 600 0;
2903 77 900 0;
3824 99 960 9
а) содержащие 85% (по весу) или более любого из следующих веществ или любой из их смесей:
мономерных форм перфторполиалкилэфиртриазинов или перфторалифатических эфиров;
перфторалкиламинов;
перфторциклоалканов; или
перфторалканов;
б) плотность 1,5 г/мл или более при температуре 298 K (25 °C);
в) жидкое состояние при температуре 273 K (0 °C); и
г) содержащие 60% (по весу) или более фтора
Примечание.
Пункт 1.3.6.4 не применяется к материалам, определенным и упакованным как медицинская продукция
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.3.7.
Керамические порошки, некомпозиционные керамические материалы, композиционные материалы с керамической матрицей и соответствующие прекурсоры:
1.3.7.1.
Керамические порошки из простых или сложных боридов титана, имеющие суммарно металлические примеси, исключая специальные добавки, менее 5000 частей на миллион, при среднем размере частицы, равном или меньше 5 мкм, и при этом не более 10% частиц имеют размер более 10 мкм;
2850 00 900 0
1.3.7.2.
Некомпозиционные керамические материалы в сыром виде или в виде полуфабриката на основе боридов титана с плотностью 98% или более от теоретической плотности
2850 00 900 0
Примечание.
Пункт 1.3.7.2 не применяется к абразивам;
1.3.7.3.
Композиционные материалы типа керамика-керамика со стеклянной или оксидной матрицей, армированной волокнами, имеющими все следующие характеристики:
2849;
2850 00;
8803 90 200 0;
8803 90 300 0;
8803 90 900 0;
9306 90
а) изготовлены из любых нижеследующих материалов:
Si-N;
Si-C;
Si-Al-O-N; или
Si-O-N; и
б) имеют удельную прочность при растяжении, превышающую 12,7 x 103 м;
1.3.7.4.
Композиционные материалы типа керамика-керамика с непрерывной металлической фазой или без нее, включающие частицы, нитевидные кристаллы или волокна, в которых матрица образована из карбидов или нитридов кремния, циркония или бора
2849 20 000 0;
2849 90 100 0;
2850 00 200 0;
8113 00 200 0;
8113 00 900 0
Особое примечание.
В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.7.3 и 1.3.7.4, см. также пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 2;
1.3.7.5.
Следующие материалы-предшественники (то есть полимерные или металлоорганические материалы специализированного назначения) для производства какой-либо фазы или фаз материалов, определенных в пункте 1.3.7.3:
3910 00 000 2;
3910 00 000 8
а) полидиорганосиланы (для производства карбида кремния);
б) полисилазаны (для производства нитрида кремния);
в) поликарбосилазаны (для производства керамики с кремниевыми, углеродными или азотными компонентами);
1.3.7.6.
Композиционные материалы типа керамика-керамика с оксидными или стеклянными матрицами, армированными непрерывными волокнами любой из следующих систем:
6903;
6914 90 000 0
а) AL2O3 (CAS 1344-28-1); или
б) Si-C-N
Примечание.
Пункт 1.3.7.6 не применяется к композиционным материалам, армированным указанными волокнами из этих систем, имеющими предел прочности при растяжении ниже 700 МПа при температуре 1273 K (1000 °C) или деформацию ползучести более 1% при напряжении 100 МПа и температуре 1273 K (1000 °C) за 100 ч
1.3.8.
Нефторированные полимерные вещества:
1.3.8.1.
Нижеперечисленные плавкие имиды в жидкой или твердой форме, в том числе в виде смол, порошков, гранул, пленок, листов, лент или полос:
1.3.8.1.1.
Бисмалеимиды;
2925 19 950 0
1.3.8.1.2.
Ароматические полиамид-имиды (PAI), имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 563 K (290 °C);
3908 90 000 0
1.3.8.1.3.
Ароматические полиимиды, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 505 K (232 °C);
3911 90 990 0
(п. 1.3.8.1.3 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
1.3.8.1.4.
Ароматические полиэфиримиды, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 563 K (290 °C)
3907 20 990 0;
3907 91 900 0
Особое примечание.
Для неплавких ароматических полиимидов в форме пленки, листа, ленты или полосы см. пункт 1.1.3;
1.3.8.2.
Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
1.3.8.3.
Полиариленовые кетоны;
3907 99
1.3.8.4.
Полиариленовые сульфиды, где ариленовая группа представляет собой бифенилен, трифенилен или их комбинации;
3911 90 190 0
1.3.8.5.
Полибифениленэфирсульфоны, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 563 K (290 °C)
3911 90 190 0
Технические примечания:
1. Температура перехода в стеклообразное состояние (Tg) для термопластичных материалов и материалов, определенных в пунктах 1.3.8.1.2, 1.3.8.1.4 и 1.3.8.5 соответственно, определяется с использованием метода, описанного в международном стандарте ISO 11357-2(1999) или его национальном эквиваленте.
2. Температура перехода в стеклообразное состояние (Tg) для термореактивных материалов и материалов, определенных в пунктах 1.3.8.1.2 и 1.3.8.1.3 соответственно, определяется с использованием метода трехточечного изгиба, описанного в международном стандарте ASTM D 7028-07 или его национальном эквиваленте. Испытание должно проводиться на сухом образце, который достиг минимум 90% степени отверждения при стандартных термореактивных процессах с максимальной температурой перехода в стеклообразное состояние, как это определено в стандарте ASTM E 2160-04 или его национальном эквиваленте
1.3.9.
Необработанные фторированные соединения:
1.3.9.1.
Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
1.3.9.2.
Фторированные полиимиды, содержащие 10% (по весу) или более связанного фтора;
3904 69 800 0
1.3.9.3.
Фторированные фосфазеновые эластомеры, содержащие 30% (по весу) или более связанного фтора
3904 69 200 0;
3904 69 800 0
1.3.10.
Волокнистые или нитевидные материалы:
Технические примечания:
1. Для целей расчета удельной прочности при растяжении, удельного модуля упругости либо удельного веса волокнистых или нитевидных материалов, определенных в пунктах 1.3.10.1, 1.3.10.2, 1.3.10.3 или пункте 2 подпункта "а" пункта 1.3.10.5, их значения должны определяться с использованием Метода А, описанного в международном стандарте ISO 10618 (2004) или его национальном эквиваленте.
2. Оценка удельной прочности при растяжении, удельного модуля упругости либо удельного веса волокнистых или нитевидных материалов, определенных в пункте 1.3.10, должна основываться на механических свойствах содержащихся в них однонаправленных моноволокон до их переработки в неоднонаправленные волокнистые или нитевидные материалы
(технические примечания введены Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
1.3.10.1.
Органические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики:
5402 11 000 0;
5404 12 000 0;
5404 19 000 0;
5501 10 000 1;
5503 11 000 0
а) удельный модуль упругости более 12,7 x 106 м; и
б) удельную прочность при растяжении более 23,5 x 104 м
Примечание.
Пункт 1.3.10.1 не применяется к полиэтилену;
1.3.10.2.
Углеродные волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики:
6815 10 100 0
а) удельный модуль упругости более 14,65 x 106 м; и
б) удельную прочность при растяжении более 26,82 x 104 м
Техническое примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519
Примечание.
Пункт 1.3.10.2 не применяется:
а) к элементам конструкций из волокнистых или нитевидных материалов объемной или слоистой структуры для ремонта гражданских летательных аппаратов, имеющим все следующее:
площадь, не превышающую 1 м2;
длину, не превышающую 2,5 м; и
ширину более 15 мм;
б) к механически штапелированным, валяным или резаным (кусковым) углеродным волокнистым или нитевидным материалам длиной 25 мм или менее;
1.3.10.3.
Неорганические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики:
8101 96 000 0;
8101 99 900 0;
8108 90 300 9;
8108 90 900 9
а) удельный модуль упругости, превышающий 2,54 x 106 м; и
б) точку плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде, превышающую температуру 1922 K (1649 °C)
Примечание.
Пункт 1.3.10.3 не применяется:
а) к дискретным, многофазным, поликристаллическим волокнам оксида алюминия в виде рубленых волокон или волокон, беспорядочно уложенных в матах, содержащим 3% или более (по весу) диоксида кремния и имеющим удельный модуль упругости менее 10 x 106 м;
б) к молибденовым волокнам и волокнам из молибденовых сплавов;
в) к волокнам бора;
г) к дискретным керамическим волокнам с температурой плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде ниже 2043 K (1770 °C)
Технические примечания. Исключены. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
1.3.10.4.
Волокнистые или нитевидные материалы, имеющие любой из следующих составов:
1.3.10.4.1.
Состоящие из любого из нижеследующих материалов:
1.3.10.4.1.1.
Полиэфиримидов, определенных в пункте 1.3.8.1; или
5402 11 000 0;
5402 20 000;
5402 49 000 0;
5404 12 000 0;
5404 19 000 0;
5501 10 000 1;
5501 20 000 0;
5501 90 000 0;
5503 11 000 0;
5503 20 000 0;
5503 90 000 0
1.3.10.4.1.2.
Материалов, определенных в пунктах 1.3.8.3 - 1.3.8.5; или
5402 20 000;
5402 49 000 0;
5404 12 000 0;
5404 19 000 0;
5501 20 000 0;
5501 90 000 0;
5503 20 000 0;
5503 90 000 0
1.3.10.4.2.
Состоящие из материалов, определенных в пункте 1.3.10.4.1.1 или 1.3.10.4.1.2, и связанные с волокнами других типов, определенных в пункте 1.3.10.1, 1.3.10.2 или 1.3.10.3
Особое примечание.
В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.10.3 - 1.3.10.4.2, см. также пункты 1.3.3 - 1.3.3.2.2 раздела 2;
1.3.10.5.
Волокнистые или нитевидные материалы, полностью или частично пропитанные смолой или пеком (препреги), волокнистые или нитевидные материалы, покрытые металлом или углеродом (преформы), или углеродные волокнистые преформы, имеющие все следующее:
3801;
3926 90 970 6;
6815 10 100 0;
6815 10 900;
6815 99 000;
7019 11 000 0;
7019 12 000 0;
7019 19;
7019 40 000 0;
7019 51 000 0;
7019 52 000 0;
7019 59 000 0
а) имеющие любое из следующего:
1) неорганические волокнистые или нитевидные материалы, определенные в пункте 1.3.10.3; или
2) органические или углеродные волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующее:
удельный модуль упругости, превышающий 10,15 x 106 м; и
удельную прочность при растяжении, превышающую 17,7 x 104 м; и
б) имеющие любое из следующего:
1) смолу или пек, определенные в пункте 1.3.8 или 1.3.9.2; или
2) температуру перехода в стеклообразное состояние по динамическому - термомеханическому анализу (DMA Tg), равную 453 K (180 °C) или выше, а также феноло альдегидный полимер; или
3) температуру перехода в стеклообразное состояние по динамическому - термомеханическому анализу (DMA Tg), равную 505 K (232 °C) или выше, а также смолу или пек, не определенные в пункте 1.3.8 или 1.3.9.2, и не являющиеся феноло-альдегидным полимером
Техническое примечание.
Температура перехода в стеклообразное состояние по динамическому (во времени) - термомеханическому (гранулометрическому) анализу (DMA Tg) для материалов, определенных в пункте 1.3.10.5, определяется с использованием метода, описанного в ASTM D 7028-07, или его национальном эквиваленте, на сухом образце для испытаний. Для термореактивных материалов степень отверждения сухого образца для испытаний должна быть минимум 90%, как это определяется стандартом ASTM E 2160-04 или его национальным эквивалентом
Примечания:
1. Волокнистые или нитевидные материалы, покрытые металлом или углеродом (преформы), или углеродные волокнистые преформы, не пропитанные смолой или пеком, определяются как волокнистые или нитевидные материалы по пункту 1.3.10.1, 1.3.10.2 или 1.3.10.3.
2. Пункт 1.3.10.5 не применяется:
а) к элементам конструкций объемной или слоистой структуры из углеродных волокнистых или нитевидных материалов, пропитанных матрицей из эпоксидной смолы (препрегов), для ремонта гражданских летательных аппаратов, имеющим все следующее:
площадь, не превышающую 1 м2;
длину, не превышающую 2,5 м; и
ширину более 15 мм;
б) к механически штапелированным, валяным или резаным (кусковым) углеродным волокнистым или нитевидным материалам длиной 25 мм или менее, полностью или частично пропитанным смолами или пеками, отличными от определенных в пунктах 1.3.8 или 1.3.9.2
1.3.11.
Следующие металлы и соединения:
1.3.11.1.
Металлы в виде частиц с размерами менее 60 мкм сферической, пылевидной, сфероидальной форм, чешуйчатые или измельченные, изготовленные из материала, содержащего 99% или более циркония, магния или их сплавов
8104 30 000 0;
8109 20 000 0
Техническое примечание.
При определении содержания циркония в него включается природная примесь гафния (обычно 2 - 7%)
Примечание.
Металлы или сплавы, определенные в пункте 1.3.11.1, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий;
1.3.11.2.
Бор или его сплавы, приведенные ниже, с размерами частиц 60 мкм или менее:
2804 50 100 0;
2849 90 100 0;
3824 99 930 9
а) бор чистотой 85% по весу или выше;
б) сплавы бора с содержанием бора 85% по весу или выше
Примечание.
Металлы или сплавы, определенные в пункте 1.3.11.2, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий;
1.3.11.3.
Гуанидин нитрат (CAS 506-93-4);
2925 29 000 0
1.3.11.4.
Нитрогуанидин (NQ) (CAS 556-88-7)
2925 29 000 0
1.3.12.
Следующие материалы:
1.3.12.1.
Плутоний в любой форме с содержанием изотопа плутония-238 более 50% (по весу)
2844 20 510 0;
2844 20 590 0;
2844 20 990 0
Примечание.
Пункт 1.3.12.1 не применяется:
а) к поставкам, содержащим плутоний в количестве 1 г или менее;
б) к поставкам, содержащим три эффективных грамма плутония или менее при использовании в качестве чувствительного элемента в приборах;
1.3.12.2.
Предварительно обогащенный нептуний-237 в любой форме
2844 40 200 0;
2844 40 300 0
Примечание.
Пункт 1.3.12.2 не применяется к поставкам, содержащим нептуний-237 в количестве 1 г или менее
Техническое примечание.
Материалы, указанные в пункте 1.3.12, обычно используются для ядерных источников тепла
Особое примечание.
В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.12 - 1.3.12.2, см. также пункты 1.3.4 - 1.3.4.2 раздела 2 и пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 3
1.4.
Программное обеспечение
1.4.1.
Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, определенного в пункте 1.2
1.4.2.
Программное обеспечение для разработки композиционных материалов с объемной или слоистой структурой на основе органических, металлических или углеродных матриц
Особое примечание.
В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 1.4.2, см. также пункт 1.4.1 раздела 2
1.4.3.
Программное обеспечение,
специально разработанное или модифицированное, для того чтобы дать возможность оборудованию/системам выполнять функции оборудования/систем, определенных в пункте 1.1.4.3 или 1.1.4.4;
1.5.
Технология
1.5.1.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства конструкций из композиционных материалов, определенных в пункте 1.1.2, изделий из ароматических полиимидов, определенных в пункте 1.1.3, снаряжения, систем и комплектующих, определенных в пункте 1.1.4, бронежилетов и компонентов, определенных в пункте 1.1.5, оборудования, определенного в пункте 1.1.6.2, 1.1.7 или 1.2, или материалов, определенных в пункте 1.3
Особое примечание.
В отношении технологий, указанных в пункте 1.5.1, см. также пункт 1.5.1 разделов 2 и 3
1.5.2.
Иные нижеследующие технологии:
1.5.2.1.
Технологии разработки или производства полибензотиазолов или полибензоксазолов;
1.5.2.2.
Технологии разработки или производства фторэластомерных соединений, содержащих по крайней мере один винилэфирный мономер;
1.5.2.3.
Технологии разработки или производства следующих керамических порошков или некомпозиционных керамических материалов:
1.5.2.3.1.
Керамических порошков, обладающих всем нижеперечисленным:
а) любой из следующих композиций:
простые или сложные оксиды циркония и сложные оксиды кремния или алюминия;
простые нитриды бора (с кубической кристаллической решеткой);
простые или сложные карбиды кремния или бора; или
простые или сложные нитриды кремния;
б) суммарными металлическими примесями, исключая преднамеренно вносимые добавки, в количестве, не превышающем:
1000 частей на миллион для простых оксидов или карбидов; или
5000 частей на миллион для сложных соединений или простых нитридов; и
в) являющихся любым из следующего:
1) диоксидом циркония (CAS 1314-23-4), имеющим средний размер частиц, равный или меньше 1 мкм, и не более 10% частиц размером, превышающим 5 мкм; или
2) другими керамическими порошками, имеющими средний размер частиц, равный или меньше 5 мкм, и не более 10% частиц размером более 10 мкм;
1.5.2.3.2.
Некомпозиционных керамических материалов, состоящих из материалов, определенных в пункте 1.5.2.3.1
Примечание.
Пункт 1.5.2.3.2 не применяется к технологиям разработки или производства абразивных материалов;
1.5.2.4.
Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
1.5.2.5.
Технологии сборки, эксплуатации или восстановления материалов, определенных в пункте 1.3.1;
1.5.2.6.
Технологии восстановления конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, определенных в пункте 1.1.2, или композиционных материалов, определенных в пункте 1.3.7.3 или 1.3.7.4
Примечание.
Пункт 1.5.2.6 не применяется к технологиям ремонта элементов конструкций гражданских летательных аппаратов с использованием углеродных волокнистых или нитевидных материалов и эпоксидных смол, содержащимся в руководствах производителя летательных аппаратов
Особое примечание.
В отношении технологий, указанных в пунктах 1.5.2.5 и 1.5.2.6, см. также пункты 1.5.2.1 и 1.5.2.2 раздела 2;
1.5.2.7.
Библиотеки (параметрические технические базы данных), специально разработанные или модифицированные, для того чтобы дать возможность оборудованию/системам выполнять функции оборудования/систем, определенных в пункте 1.1.4.3 или 1.1.4.4
Техническое примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
КАТЕГОРИЯ 2. ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ
2.1.
Системы, оборудование и компоненты
2.1.1.
Подшипники качения или подшипниковые системы и их составные части:
2.1.1.1.
Шариковые и неразъемные роликовые радиальные и радиально-упорные подшипники качения, имеющие все допуски, определенные производителем, в соответствии с классом точности 4 или лучше по международному стандарту ISO 492 или его национальному эквиваленту, в которых как кольца, так и тела качения (ISO 5593) изготовлены из медно-никелевого сплава или бериллия
8482 10 100 9;
8482 10 900;
8482 30 000 9;
8482 40 000 9;
8482 50 000 9;
8482 91 900 0;
8482 99 000 0
Примечание.
Пункт 2.1.1.1 не применяется к коническим роликовым подшипникам;
2.1.1.2.
Активные магнитные подшипниковые системы, характеризующиеся хотя бы одним из нижеперечисленных качеств:
8483 30 380 9;
8483 30 800 7;
8505 11 000 0;
8505 19 100 0;
8505 19 900 0;
8505 90 200 9;
8505 90 900 0
а) выполнены из материала с магнитной индукцией 2 Т или более и пределом текучести выше 414 МПа;
б) являются полностью электромагнитными с трехмерным униполярным подмагничиванием привода; или
в) имеют высокотемпературные, с температурой 450 K (177 °C) и выше, позиционные датчики
Примечание.
Пункт 2.1.1 не применяется к шарикам с допусками, определенными производителем, в соответствии с международным стандартом ISO 3290, по степени точности 5 или ниже (хуже)
2.2.
Испытательное, контрольное и производственное оборудование
Технические примечания:
1. Вторичные параллельные оси для контурной обработки (например, W-ось на горизонтально-расточных станках или вторичная ось вращения, центральная линия которой параллельна первичной оси вращения) не засчитываются в общее количество осей. Ось вращения необязательно означает вращение на угол, больший 360 градусов. Вращение может задаваться устройством линейного перемещения (например, винтом или зубчатой рейкой).
2. Для целей пункта 2.2 количество осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, является количеством осей, по которым или вокруг которых в процессе обработки заготовки осуществляются одновременные и взаимосвязанные движения между обрабатываемой деталью и инструментом. Это не включает любые дополнительные оси, по которым или вокруг которых осуществляются другие относительные движения в станке. Такие оси включают:
а) оси систем правки шлифовальных кругов в шлифовальных станках;
б) параллельные оси вращения, предназначенные для установки отдельных обрабатываемых деталей;
в) коллинеарные оси вращения, предназначенные для манипулирования одной обрабатываемой деталью путем закрепления ее в патроне с разных концов.
3. Номенклатура осей определяется в соответствии с международным стандартом ISO 841:2001 "Системы промышленной автоматизации и интеграция. Числовое программное управление станками. Системы координат и обозначение перемещений".
4. Для целей настоящей категории качающийся шпиндель рассматривается как ось вращения.
5. Заявленная однонаправленная повторяемость позиционирования для каждой модели станка может использоваться для всех станков одной модели как альтернатива испытаниям отдельных станков и определяется следующим:
а) выбирается пять станков модели, подлежащей оценке;
б) измеряется повторяемость (R, R) линейных осей в соответствии с международным стандартом ISO 230-2:2014 и оценивается однонаправленная повторяемость позиционирования для каждой оси каждого из пяти станков выбранной модели;
в) определяется среднее арифметическое значение однонаправленной повторяемости позиционирования на основе значений показателей однонаправленной точности позиционирования для каждой аналогичной оси всех пяти станков выбранной модели. Эти средние арифметические величины однонаправленной повторяемости позиционирования () становятся заявленной величиной для каждой оси конкретной модели (, , ...) станка;
г) поскольку каждый из станков, указанных в категории 2 настоящего раздела, имеет несколько линейных осей, количество заявленных величин однонаправленной повторяемости позиционирования их показателя точности должно быть равно количеству этих линейных осей;
д) если любая из осей какой-либо модели станка, не определенного в пунктах 2.2.1.1 - 2.2.1.3, имеет заявленную однонаправленную повторяемость позиционирования, равную или менее (лучше) определенной однонаправленной повторяемости позиционирования каждой модели станка плюс 0,7 мкм, то производитель обязан каждые 18 месяцев заново подтверждать величину точности позиционирования.
6. Для целей пункта 2.2 не следует учитывать погрешность измерения однонаправленной повторяемости позиционирования станков, определенную в соответствии с международным стандартом ISO 230-2:2014 или его национальным эквивалентом.
7. Для целей пункта 2.2 измерения осей должны проводиться в соответствии с методиками испытаний, описанными в пункте 5.3.2 международного стандарта ISO 230-2:2014. Для осей длиной более 2 м испытания должны проводиться на отрезках более 2 м. Для осей длиной более 4 м требуется несколько испытаний (например, два испытания для осей длиной от более 4 м до 8 м и три испытания для осей длиной от более 8 м до 12 м). Каждое испытание должно проводиться с отрезками длиной более 2 м, равномерно распределенными по длине оси. Испытываемые отрезки равномерно распределяются вдоль полной длины оси с любыми излишками длины, равномерно разделенными в начале, посередине и в конце испытываемого отрезка. Указанное в отчете значение всех испытываемых отрезков является наименьшей однонаправленной повторяемостью позиционирования.
2.2.1.
Станки, определенные ниже, и любые их сочетания для обработки или резки металлов, керамики и композиционных материалов, которые в соответствии с техническими условиями изготовителя могут быть оснащены электронными устройствами для числового программного управления:
Примечания:
1. Пункт 2.2.1 не применяется к станкам, ограниченным изготовлением зубчатых колес. Для таких станков см. пункт 2.2.3.
2. Пункт 2.2.1 не применяется к специальным станкам, ограниченным изготовлением любых из следующих изделий:
а) коленчатых или распределительных валов;
б) режущих инструментов;
в) червяков экструдеров;
г) гравированных или ограненных частей ювелирных изделий; или
д) зубных протезов.
3. Станок, имеющий по крайней мере две возможности из трех: токарной обработки, фрезерования или шлифования (например, токарный станок с возможностью фрезерования), должен быть оценен по каждому соответствующему пункту 2.2.1.1, 2.2.1.2 или 2.2.1.3
Особое примечание.
Для станков чистовой обработки (финишных станков) оптики см. пункт 2.2.2
2.2.1.1.
Токарные станки с двумя или более осями, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, имеющие любую из следующих характеристик:
а) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 0,9 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной менее 1 м; или
б) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,1 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 1 м или более
8458;
8464 90 000 0;
8465 20 000 0;
8465 99 000 0
(п. 2.2.1.1 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
Примечания:
1. Пункт 2.2.1.1 не применяется к токарным станкам, специально разработанным для производства контактных линз и имеющим все следующее:
а) контроллер станка ограничен программным обеспечением с частично программируемым вводом данных, используемых в офтальмологических целях;
б) отсутствие вакуумного патрона.
2. Пункт 2.2.1.1 не применяется к прутковым токарным станкам (токарным многоцелевым станкам продольного точения), которые предназначены для обработки деталей, поступающих только через прутковый питатель, имеют максимальный диаметр прутка 42 мм или менее и на которые невозможно установить держатели. Станки могут иметь возможность сверления и (или) фрезерования для обрабатываемых деталей диаметром менее 42 мм;
(примечания в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
2.2.1.2.
Фрезерные станки, имеющие любую из следующих характеристик:
8459 31 000 0;
8459 51 000 0;
8459 61;
8464 90 000 0;
8465 20 000 0;
8465 92 000 0
а) три линейные оси плюс одну ось вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, имеющие любую из следующих характеристик:
1) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 0,9 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной менее 1 м; или
2) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,1 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 1 м или более;
б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления и имеют любую из следующих характеристик:
Примечание.
Станки с механизмом параллельной кинематики определены в пункте 4 подпункта "б" пункта 2.2.1.2
1) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 0,9 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной менее 1 м;
2) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,4 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 1 м или более и менее 4 м;
3) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 6 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 4 м или более; или
4) являющиеся станками с механизмом параллельной кинематики
Техническое примечание.
Станок с механизмом параллельной кинематики - станок, имеющий множество штанг, связанных со станиной и исполнительными механизмами, каждый из которых управляет соответствующей штангой одновременно и автономно;
в) для координатно-расточных станков однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,1 мкм или менее (лучше); или
г) станки с летучей фрезой, имеющие все следующие характеристики:
биение шпинделя и эксцентриситет менее (лучше) 0,0004 мм полного показания индикатора (ППИ); и
повороты суппорта относительно трех ортогональных осей меньше (лучше) двух дуговых секунд ППИ на 300 мм перемещения;
2.2.1.3.
Шлифовальные станки, имеющие любую из следующих характеристик:
а) имеющие все следующие характеристики:
однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,1 мкм или менее (лучше); и
три или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; или
б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, имеющие любое из следующего:
однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,1 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной менее 1 м;
однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,4 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 1 м или более и менее 4 м; или
однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 6 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 4 м или более
8460 12;
8460 19 100 0;
8460 22 100;
8460 23 100;
8460 24 100;
8460 29;
8464 20 800 0;
8465 20 000 0;
8465 93 000 0
(п. 2.2.1.3 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
Примечание.
Пункт 2.2.1.3 не применяется к следующим шлифовальным станкам:
а) круглошлифовальным, внутришлифовальным и универсальным шлифовальным станкам, обладающим семи следующими характеристиками:
предназначенным лишь для круглого шлифования; и
максимально возможной длиной или наружным диаметром обрабатываемой детали 150 мм;
б) станкам, специально разработанным как координатно-шлифовальные станки, не имеющие Z-оси или W-оси, с однонаправленной повторяемостью позиционирования, равной 1,1 мкм или меньше (лучше);
в) плоскошлифовальным станкам;
2.2.1.4.
Станки для электроискровой обработки (СЭО) беспроволочного типа, имеющие две или более оси вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления;
8456 30
2.2.1.5.
Станки для обработки металлов, керамики или композиционных материалов, имеющие все следующие характеристики:
8424 30 900 0;
8456 10 00;
8456 40 000 0;
8456 90 000 0
а) обработка материалов осуществляется любым из следующих способов:
струями воды или других жидкостей, в том числе с абразивными присадками;
электронным лучом; или
лазерным лучом; и
б) по крайней мере две оси вращения, имеющие все следующее:
возможность быть совместно скоординированными для контурного управления; и
точность позиционирования менее (лучше) 0,003 градуса;
2.2.1.6.
Сверлильные станки для сверления глубоких отверстий или токарные станки, модифицированные для сверления глубоких отверстий, обеспечивающие максимальную глубину сверления отверстий более 5000 мм
8458;
8459 21 000 0;
8459 29 000 0
2.2.2.
Станки с числовым программным управлением для чистовой обработки (финишные станки) асферических оптических поверхностей с выборочным снятием материала, имеющие все следующие характеристики:
8464 20 110 0;
8464 20 190 0;
8464 20 800 0;
8465 20 000 0;
8465 93 000 0
а) осуществляющие доводку контура до менее (лучше) 1,0 мкм;
б) осуществляющие чистовую обработку до среднеквадратичного значения шероховатости менее (лучше) 100 нм;
в) имеющие четыре или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; и
г) использующие любой из следующих процессов:
магнитореологической чистовой обработки (МРЧО);
электрореологической чистовой обработки (ЭРЧО);
чистовой обработки пучками высокоэнергетических частиц;
чистовой обработки с помощью рабочего органа в виде надувной мембраны; или
жидкоструйной чистовой обработки
Техническое примечание.
Для целей пункта 2.2.2:
а) под МРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную магнитную жидкость, вязкость которой регулируется магнитным полем;
б) под ЭРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную жидкость, вязкость которой регулируется электрическим полем;
в) под чистовой обработкой пучками высокоэнергетических частиц понимается процесс, использующий плазму атомов химически активных элементов или пучки ионов для избирательного съема материала;
г) под чистовой обработкой с помощью рабочего органа в виде надувной мембраны понимается процесс, в котором используется мембрана под давлением, деформирующая изделие при контакте с ней на небольшом участке;
д) под жидкоструйной чистовой обработкой понимается процесс, использующий поток жидкости для съема материала
2.2.3.
Станки с числовым программным управлением или станки с ручным управлением и специально предназначенные для них компоненты, оборудование для контроля и приспособления, специально разработанные для шевингования, финишной обработки, шлифования или хонингования закаленных (Rc = 40 или более) прямозубых цилиндрических, косозубых и шевронных шестерен диаметром делительной окружности более 1250 мм и шириной зубчатого венца, равной 15% от диаметра делительной окружности или более, с качеством после финишной обработки по классу 3 в соответствии с международным стандартом ISO 1328
8461 40 710 0;
8461 40 790 0
2.2.4.
Горячие изостатические прессы, имеющие все нижеперечисленное, и специально разработанные для них компоненты и приспособления:
8462 99
а) камеры с регулируемыми температурами внутри рабочей полости и внутренним диаметром полости камеры 406 мм и более; и
б) любую из следующих характеристик:
максимальное рабочее давление выше 207 МПа;
регулируемые температуры выше 1773 K (1500 °C); или
оборудование для насыщения углеводородом и удаления газообразных продуктов разложения
Техническое примечание.
Внутренний размер камеры относится к полости, в которой достигаются рабочие давление и температура, при этом исключаются установочные приспособления. Указанный выше размер будет наименьшим из двух размеров - внутреннего диаметра камеры высокого давления или внутреннего диаметра изолированной высокотемпературной камеры - в зависимости от того, какая из этих камер находится в другой
2.2.5.
Оборудование, специально разработанное для осаждения, обработки и активного управления процессом нанесения неорганических покрытий, слоев и модификации поверхности (за исключением формирования подложек для электронных схем) с использованием процессов, указанных в таблице к пункту 2.5.3.6 и отмеченных в примечаниях к ней, а также специально разработанные для него автоматизированные компоненты установки, позиционирования, манипулирования и регулирования:
2.2.5.1.
Производственное оборудование для химического осаждения из паровой фазы (CVD), имеющее все нижеследующее:
8419 89 989 0
а) процесс, модифицированный для реализации одного из следующих методов:
CVD с пульсирующим режимом;
термического осаждения с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD); или
CVD с применением плазменного разряда, модифицирующего процесс; и
б) включающее любое из следующего:
высоковакуумные (вакуум, равный 0,01 Па или ниже (лучше) вращающиеся уплотнения; или
средства регулирования толщины покрытия в процессе осаждения;
2.2.5.2.
Производственное оборудование ионной имплантации с током пучка 5 мА или более;
8543 10 000 0
2.2.5.3.
Технологическое оборудование для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом электронным пучком (EB-PVD), включающее силовые системы с расчетной мощностью более 80 кВт и имеющее любую из следующих составляющих:
8543 70 900 0
а) лазерную систему управления уровнем жидкой ванны, которая точно регулирует скорость подачи заготовок; или
б) управляемое компьютером контрольно-измерительное устройство, работающее на принципе фотолюминесценции ионизированных атомов в потоке пара, необходимое для управления скоростью осаждения покрытия, содержащего два или более элемента;
2.2.5.4.
Производственное оборудование плазменного напыления, обладающее любой из следующих характеристик:
8419 89 300 0;
8419 89 98
а) работающее при пониженном давлении контролируемой атмосферы (равном или ниже 10 кПа, измеряемом на расстоянии до 300 мм над выходным сечением сопла плазменной горелки) в вакуумной камере, которая перед началом процесса напыления может быть откачана до 0,01 Па; или
б) включающее средства регулирования толщины покрытия в процессе напыления;
2.2.5.5.
Производственное оборудование осаждения распылением, обеспечивающее плотность тока 0,1 мА/мм2 или более, со скоростью осаждения 15 мкм/ч или более;
8419 89 300 0;
8419 89 98
2.2.5.6.
Производственное оборудование катодно-дугового напыления, включающее систему электромагнитов для управления положением активного пятна дуги на катоде;
8543 70 900 0
2.2.5.7.
Производственное оборудование, способное к измерению в процессе ионного осаждения любого из следующего:
8543 70 900 0
а) толщины покрытия на подложке с управлением скоростью осаждения; или
б) оптических характеристик
Примечание.
Пункты 2.2.5.1, 2.2.5.2, 2.2.5.5, 2.2.5.6 и 2.2.5.7 не применяются соответственно к оборудованию химического осаждения из паровой фазы (CVD), ионной имплантации, осаждения распылением, катодно-дугового напыления и ионного осаждения, специально разработанному для покрытия режущего или обрабатывающего инструмента
2.2.6.
Системы, оборудование и электронные сборки для измерения или контроля размеров:
2.2.6.1.
Координатно-измерительные машины (КИМ) с компьютерным управлением или числовым программным управлением, имеющие в соответствии с международным стандартом ISO 10360-2 (2009) пространственную (объемную) максимально допустимую погрешность измерения длины (E0,MPE) в любой точке в пределах рабочего диапазона машины (то есть в пределах длины осей), равную или меньше (лучше) (1,7 + L/1000) мкм (L - измеряемая длина в миллиметрах)
9031 80 320 0;
9031 80 340 0
Техническое примечание.
(E0,MPE) лучшей компоновки КИМ, определенная производителем например, лучшее из следующего: измерительная головка, длина измерительного наконечника, параметры хода, режим работы) и со всеми доступными компенсациями, должна сравниваться с пороговой величиной (1,7 + L/1000) мкм;
2.2.6.2.
Приборы для измерения линейных или угловых перемещений:
2.2.6.2.1.
Приборы для измерения линейных перемещений, имеющие любую из следующих составляющих:
9031 49 900 0;
9031 80 320 0;
9031 80 340 0;
9031 80 910 0
Примечание.
Интерферометры и оптические кодирующие устройства систем измерения перемещений, содержащие лазер, определены только в подпункте "в" пункта 2.2.6.2.1
Техническое примечание.
Для целей пункта 2.2.6.2.1 линейное перемещение означает изменение расстояния между измеряющим элементом и контролируемым объектом
а) измерительные системы бесконтактного типа с разрешением, равным или меньше (лучше) 0,2 мкм, при диапазоне измерений до 0,2 мм;
б) системы дифференциальных преобразователей для измерения линейных перемещений (LVDT), имеющие все следующие характеристики:
1) имеющие любое из следующего:
линейность, равную или меньше (лучше) 0,1%, измеренную от 0 до предела рабочего диапазона для LVDT с пределом рабочего диапазона 5 мм или менее; или
линейность, равную или меньше (лучше) 0,1%, измеренную от 0 до 5 мм для LVDT с пределом рабочего диапазона более 5 мм; и
2) дрейф, равный или меньше (лучше) 0,1% в день, при стандартной комнатной температуре 1 K
Техническое примечание.
Для целей подпункта "б" пункта 2.2.6.2.1 пределом рабочего диапазона является половина полного возможного линейного перемещения LVDT. Например, LVDT с пределом рабочего диапазона 5 мм или менее могут измерять полное возможное линейное перемещение в 10 мм;
в) измерительные системы, имеющие все следующие характеристики:
1) содержащие лазер;
2) разрешение на полной шкале 0,2 нм или меньше (лучше); и
3) способные достигать погрешности измерения при компенсации показателя преломления воздуха в любой точке в пределах измеряемого диапазона, равной или меньше (лучше) (1,6 + L/2000) нм (L - измеряемая длина в миллиметрах) и измеренной в течение 30 секунд при температуре 20 °C 1 °C;
или
г) электронные сборки, специально разработанные для обеспечения возможности обратной связи в системах, определенных в подпункте "в" пункта 2.2.6.2.1
Примечание.
Пункт 2.2.6.2.1 не применяется к измерительным интерферометрическим системам с автоматическим управлением, разработанным для применения техники без обратной связи, содержащим лазер для измерения погрешностей перемещения подвижных частей станков, приборов для измерения размеров или другого подобного оборудования;
2.2.6.2.2.
Приборы для измерения угловых перемещений с точностью измерения по угловой координате, равной или меньше (лучше) 0,00025 градуса
9031 49 900 0;
9031 80 320 0;
9031 80 340 0;
9031 80 910 0
Примечание.
Пункт 2.2.6.2.2 не применяется к оптическим приборам, таким как автоколлиматоры, использующие коллимированный свет (например, лазерное излучение) для фиксации углового смещения зеркала;
2.2.6.3.
Оборудование. использующее принцип оптического рассеяния для измерения неровности (шероховатости) поверхности (включая дефекты поверхности) с чувствительностью 0,5 нм или менее (лучше);
9031 49 900 0
(п. 2.2.6.3 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
Примечание.
Пункт 2.2.6 включает станки, отличные от определенных в пункте 2.2.1, которые могут быть использованы в качестве измерительных машин, если их параметры соответствуют критериям, определенным для параметров измерительных машин, или превосходят их
2.2.7.
Роботы, имеющие любую из нижеперечисленных характеристик, и специально разработанные для них устройства управления и рабочие органы:
8479 50 000 0;
8537 10 100 0;
8537 10 910 0;
8537 10 990 0
а) способность в реальном масштабе времени осуществлять полную трехмерную обработку изображений или полный трехмерный анализ сцены с генерированием или модификацией программ либо с генерированием или модификацией данных для числового программного управления
Техническое примечание.
Ограничения по анализу сцены не включают аппроксимацию третьего измерения по результатам наблюдения под заданным углом или ограниченную черно-белую интерпретацию восприятия глубины или текстуры для утвержденных заданий (2 1/2 D);
б) специально разработанные в соответствии с национальными стандартами безопасности применительно к условиям работы со взрывчатыми веществами, которые могут быть использованы в военных целях
Примечание.
Подпункт "б" пункта 2.2.7 не применяется к роботам, специально разработанным для применения в камерах для окраски распылением;
в) специально разработанные или оцениваемые как радиационно стойкие, выдерживающие более 5 x 103 Гр (по кремнию) [5 x 105 рад] без ухудшения эксплуатационных характеристик; или
г) специально разработанные для работы на высотах, превышающих 30 000 м
2.2.8.
Узлы или блоки, специально разработанные для станков, или системы для контроля или измерения размеров:
2.2.8.1.
Линейные измерительные элементы обратной связи, имеющие полную точность менее (лучше) [800 + (600 x L x 10-3)] нм (L - эффективная длина в миллиметрах)
9031
Особое примечание.
Для лазерных систем см. также подпункты "в" и "г" пункта 2.2.6.2.1;
2.2.8.2.
Угловые измерительные элементы обратной связи, имеющие точность менее (лучше) 0,00025 градуса
9031
Особое примечание.
Для лазерных систем см. также пункт 2.2.6.2.2;
Примечание.
Пункты 2.2.8.1 и 2.2.8.2 применяются к измерительным элементам, таким как устройства индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы, предназначенным для получения информации о позиционировании при управлении с обратной связью;
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
2.2.8.3.
Составные поворотные столы или качающиеся шпиндели, применение которых в соответствии с техническими характеристиками изготовителя может модифицировать станки до уровня, определенного в пункте 2.2, или выше
8466
2.2.9.
Станки для ротационной вытяжки и обкатные вальцовочные станки, которые в соответствии с технической документацией производителя могут быть оборудованы блоками числового программного управления или компьютерным управлением и которые имеют все следующие характеристики:
8462 21 100;
8462 21 800;
8463 90 000 0
а) три или более оси, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; и
б) усилие на валке/ролике более 60 кН
Техническое примечание.
Станки, объединяющие функции ротационной вытяжки и вальцовки методом обкатки, считаются для целей пункта 2.2.9 относящимися к обкатным вальцовочным станкам
(техническое примечание в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
2.3.
Материалы - нет
2.4.
Программное обеспечение
2.4.1.
Программное обеспечение иное, чем определенное в пункте 2.4.2:
2.4.1.1.
Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства подшипников или подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1, или оборудования, определенного в пункте 2.2;
2.4.1.2.
Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для применения подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1.2, или оборудования, определенного в пунктах 2.2.1, 2.2.3 - 2.2.9
(п. 2.4.1 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
Примечание.
Пункт 2.4.1 не применяется к программному обеспечению, которое генерирует коды числового программного управления для обработки различных деталей
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
Особое примечание.
В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 2.4.1, см. также пункт 2.4.1 раздела 2
(особое примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
2.4.2.
Программное обеспечение для электронных устройств, в том числе встроенное в электронное устройство или систему, дающее возможность таким устройствам или системам функционировать как блок ЧПУ, способный координировать одновременно более четырех осей для контурного управления
Примечания:
1. Пункт 2.4.2 не применяется к программному обеспечению, специально разработанному или модифицированному для работы изделий, не определенных в категории 2.
2. Пункт 2.4.2 не применяется к программному обеспечению для изделий, определенных в пункте 2.2.2. Для такого программного обеспечения см. пункты 2.4.1 и 2.4.3.
3. Пункт 2.4.2 не применяется к программному обеспечению, минимально необходимому для эксплуатации изделий, не определенных в категории 2, и экспортируемому совместно с этими изделиями
2.4.3.
Программное обеспечение, разработанное или модифицированное для эксплуатации станков, определенных в пункте 2.2.2, преобразующее функции оптического приспособления, измерения обрабатываемой детали и снятия материала в команды числового программного управления для получения заданной формы детали
(п. 2.4.3 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
2.5.
Технология
2.5.1.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки подшипников или подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1, оборудования, определенного в пункте 2.2, или программного обеспечения, определенного в пункте 2.4
Примечание.
Пункт 2.5.1 включает технологию встраивания систем щупов в КИМ, определенные в пункте 2.2.6.1
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
2.5.2.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства подшипников или подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1, или оборудования, определенного в пункте 2.2
Особое примечание.
В отношении технологий, указанных в пунктах 2.5.1 и 2.5.2, см. также пункт 2.5.1 раздела 2
2.5.3.
Иные нижеследующие технологии:
2.5.3.1.
Технологии разработки интерактивной графики как встроенной части блока числового программного управления для подготовки или модификации программ обработки деталей;
2.5.3.2.
Технологии производственных процессов металлообработки:
2.5.3.2.1.
Технологии проектирования инструмента, пресс-форм или зажимных приспособлений, специально разработанные для любого из следующих процессов:
а) формообразования в условиях сверхпластичности;
б) диффузионной сварки; или
в) гидравлического прессования прямого действия;
2.5.3.2.2.
Технические данные, включающие описание технологического процесса или его параметры:
а) для формообразования в условиях сверхпластичности изделий из алюминиевых, титановых сплавов или суперсплавов:
подготовка поверхности;
скорость деформации;
температура;
давление;
б) для диффузионной сварки титановых сплавов
или суперсплавов:
подготовка поверхности;
температура;
давление;
в) для гидравлического прессования прямого действия алюминиевых или титановых сплавов:
давление;
время цикла;
г) для горячего изостатического уплотнения титановых, алюминиевых сплавов или суперсплавов:
температура;
давление;
время цикла;
2.5.3.3.
Технологии разработки или производства гидравлических прессов для штамповки с вытяжкой и соответствующих матриц для изготовления конструкций корпусов летательных аппаратов;
2.5.3.4.
Технологии разработки генераторов машинных команд для управления станком (например, программ обработки деталей) на основе проектных данных, хранимых в блоках числового программного управления;
2.5.3.5.
Технологии разработки комплексного программного обеспечения для включения экспертных систем, повышающих в заводских условиях операционные возможности блоков числового программного управления;
2.5.3.6.
Технологии нанесения наружных слоев неорганических покрытий, в том числе для модификации поверхностей, определенных в колонке "Получаемое покрытие" таблицы к настоящему пункту, на подложки для неэлектронных приборов/компонентов, определенные в колонке "Подложки" указанной таблицы, с использованием процессов, определенных в колонке "Процесс нанесения покрытия" этой же таблицы и описанных в технических примечаниях к ней
Особое примечание.
Нижеприведенная таблица к пункту 2.5.3.6. должна рассматриваться для определения технологии конкретного процесса нанесения покрытия, только когда относящееся к этому процессу получаемое покрытие находится в абзаце таблицы, расположенном напротив выбранной подложки.
Например, технические характеристики процесса химического осаждения из паровой фазы (CVD) (колонка таблицы "Процесс нанесения покрытия") включают нанесение силицидов (колонка таблицы "Получаемое покрытие") на подложки из углерод-углерода, композиционных материалов с керамической или металлической матрицей (колонка таблицы "Подложки"), но не включают их нанесение на подложки из металлокерамического карбида вольфрама (16), карбида кремния (18), так как во втором случае покрытие из силицидов не перечислено в абзаце колонки "Получаемое покрытие", расположенном непосредственно напротив абзаца соответствующего перечня колонки "Подложки" (металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)

Таблица к пункту 2.5.3.6

Технические приемы нанесения покрытий

Процесс нанесения покрытия (1) "*"
Подложки
Получаемое покрытие
1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD)
суперсплавы
алюминиды на поверхности внутренних каналов
керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)
силициды, карбиды, диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей
силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), нитрид бора
металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)
карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15)
молибден и его сплавы
диэлектрические слои (15)
бериллий и его сплавы
диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)
материалы окон датчиков (9)
диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)
2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом
2.1. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком
суперсплавы
сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, алюминиды, смеси перечисленных выше материалов (4)
керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)
диэлектрические слои (15)
коррозионно-стойкие стали (7)
MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4)
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей
силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора
металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)
карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15)
молибден и его сплавы
диэлектрические слои (15)
бериллий и его сплавы
диэлектрические слои (15), бориды, бериллий
материалы окон датчиков (9)
диэлектрические слои (15)
титановые сплавы (13)
бориды, нитриды
2.2. Ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом (ионное осаждение)
керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)
диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей
диэлектрические слои (15)
металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)
диэлектрические слои (15)
молибден и его сплавы
диэлектрические слои (15)
бериллий и его сплавы
диэлектрические слои (15)
материалы окон датчиков (9)
диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
2.3. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной лазерным нагревом
керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)
силициды, диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей
диэлектрические слои (15)
металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)
диэлектрические слои (15)
молибден и его сплавы
диэлектрические слои (15)
бериллий и его сплавы
диэлектрические слои (15)
материалы окон датчиков (9)
диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
2.4. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной катодно-дуговым разрядом
суперсплавы
сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5)
полимеры (11) и композиционные материалы с органической матрицей
бориды, карбиды, нитриды, алмазоподобный углерод (17)
3. Твердофазное диффузионное насыщение (10)
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей
силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4)
титановые сплавы (13)
силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2)
тугоплавкие металлы и сплавы (8)
силициды, оксиды
4. Плазменное напыление
суперсплавы
MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4), истираемый никель-графитовый материал, истираемый никель-хром-алюминиевый сплав, истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир, сплавы на основе алюминидов (2)
алюминиевые сплавы (6)
MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, смеси перечисленных выше материалов (4)
тугоплавкие металлы и сплавы (8)
алюминиды, силициды, карбиды
коррозионно-стойкие стали (7)
MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4)
титановые сплавы (13)
карбиды, алюминиды, силициды, сплавы на основе алюминидов (2), истираемый никель-графитовый материал, истираемый никель-хром-алюминиевый сплав, истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир
5. Нанесение шликера
тугоплавкие металлы и сплавы (8)
оплавленные силициды, оплавленные алюминиды (кроме резистивных нагревательных элементов)
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей
силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4)
6. Осаждение распылением
суперсплавы
сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), алюминиды, модифицированные благородным металлом (3), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), платина, смеси перечисленных выше материалов (4)
керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)
силициды, платина, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
титановые сплавы (13)
бориды, нитриды, оксиды, силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), карбиды
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей
силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора
металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)
карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора
молибден и его сплавы
диэлектрические слои (15)
бериллий и его сплавы
бориды, диэлектрические слои (15), бериллий
материалы окон датчиков (9)
диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)
тугоплавкие металлы и сплавы (8)
алюминиды, силициды, оксиды, карбиды
7. Ионная имплантация
высокотемпературные подшипниковые стали
присадки хрома, тантала или ниобия
титановые сплавы (13)
бориды, нитриды
бериллий и его сплавы
бориды
металлокерамический карбид вольфрама (16)
карбиды, нитриды

--------------------------------

"*" См. пункт примечаний к данной таблице, соответствующий указанному в скобках.

Примечания к таблице:

1. Термин "процесс нанесения покрытия" включает как нанесение первоначального покрытия, так и ремонт, а также обновление существующих покрытий.

2. Покрытие сплавами на основе алюминида включает одно- или многоступенчатое нанесение покрытия, в котором элемент или элементы осаждаются до или в процессе нанесения алюминидного покрытия, даже если эти элементы наносятся с применением других процессов. Это, однако, не включает многократное использование одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения для получения легированных алюминидов.

3. Покрытие алюминидом, модифицированным благородным металлом, включает многошаговое нанесение покрытия, в котором слои благородного металла или благородных металлов наносятся каким-либо другим процессом до нанесения алюминидного покрытия.

4. Термин "смеси" означает материалы, полученные пропиткой, материалы с изменяющимся по объему химическим составом, материалы, полученные совместным осаждением, в том числе слоистые; при этом смеси получаются в одном или нескольких процессах нанесения покрытий, описанных в таблице.

5. MCrAlX соответствует сплаву покрытия, где M обозначает кобальт, железо, никель или их комбинацию, X - гафний, иттрий, кремний, тантал в любом количестве или другие специально внесенные добавки с их содержанием более 0,01% (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:

а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия;

б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия;

в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия.

6. Термин "алюминиевые сплавы" относится к сплавам с прочностью при растяжении 190 МПа или выше при температуре 293 К (20 °C).

7. Термин "коррозионно-стойкая сталь" означает сталь из серии AISI-300 (AISI - American Iron and Steel Institute - Американский институт железа и стали) или сталь соответствующего национального стандарта.

8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий, молибден, вольфрам и тантал.

9. Материалами окон датчиков являются: оксид алюминия (поликристаллический), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний.

10. Технология одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения сплошных аэродинамических поверхностей не контролируется по категории 2.

11. Полимеры включают полиимиды, полиэфиры, полисульфиды, поликарбонаты и полиуретаны.

12. Термин "модифицированный оксид циркония" означает оксид циркония с добавками оксидов других металлов (таких как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в целях стабилизации определенных кристаллографических фаз и фазовых составов. Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония, модифицированные оксидом кальция или магния методом смешения или сплавления, не контролируются.

13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при температуре 293 К (20 °C).

14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения включают стекла, имеющие измеренный при температуре 293 К (20 °C) коэффициент линейного расширения 10-7 K-1 или менее.

15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные свойства структуры, составленной из материалов с различными показателями отражения, используются для отражения, пропускания или поглощения в различных диапазонах длин волн. "Диэлектрический слой" - понятие, относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех слоев диэлектрика или композиционных слоев в структуре диэлектрик - металл.

16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие твердые сплавы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт, никель), карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель, хром) и карбид хрома - никель.

17. Не контролируются технологии, специально разработанные для нанесения алмазоподобного углерода на любые из следующих изделий, произведенных из сплавов, содержащих менее 5% бериллия: дисководы (накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие инструменты, вырубные штампы и пресс-формы для штамповки, оргтехника, микрофоны, медицинские приборы или формы для литья или формования пластмассы.

18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением.

19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5% (по весу) или более связующих как отдельных компонентов, так и в сочетании с другими компонентами.

Технические примечания к таблице:

Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия", определяются следующим образом:

1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - процесс нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика осаждается на нагретую подложку. Газообразные реагенты разлагаются или соединяются вблизи подложки или на самой подложке, в результате чего на ней осаждается требуемый материал в форме химического элемента, сплава или соединения. Энергия для указанных химических реакций может быть обеспечена теплом подложки, плазмой тлеющего разряда или лучом лазера.

Особые примечания:

а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой, CVD с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD), CVD с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс;

б) засыпка означает погружение подложки в порошковую смесь;

в) газообразные реагенты, используемые в процессе без непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с применением тех же основных реакций и параметров, что и при твердофазном диффузионном насыщении.

2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, - процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже 0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку.

Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии.

Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является также обычной модификацией этого метода. Применение контрольно-измерительных устройств для измерения в технологическом процессе оптических характеристик и толщины покрытия может быть особенностью этих процессов. Особенности конкретных процессов физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, состоят в следующем:

а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и испарения материала, образующего покрытие;

б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели в сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения контролируемого и однородного потока пара материала покрытия;

в) при испарении лазером используется импульсный или непрерывный лазерный луч;

г) в процессе катодного дугового напыления используется расходный катод, из материала которого образуется покрытие и который имеет дуговой разряд, инициирующийся на поверхности катода после кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для реализации процесса нанесения покрытия вне прямой видимости подается электрическое смещение на подложку.

Особое примечание.

Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического смещения на подложку;

д) ионное осаждение - специальная модификация процесса физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное к подложке, способствует экстракции необходимых ионов из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование контрольно-измерительных устройств, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, - обычные модификации этого процесса.

3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, при которых изделие погружено в порошковую смесь (засыпку), состоящую из:

а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность изделия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);

б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и

в) инертного порошка, чаще всего оксида алюминия.

Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой от 1030 К (757 °C) до 1375 К (1102 °C) в течение достаточно продолжительного времени для нанесения покрытия.

4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия, при котором в горелку, образующую плазму и управляющую ею, подается порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится и несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное напыление может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в режиме высокой скорости.

Особые примечания:

а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;

б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе сопла горелки, приведенная к температуре 293 К (20 °C) и давлению 0,1 МПа, превышает 750 м/с.

5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых металлический или керамический порошок с органической связкой, суспендированный в жидкости, наносится на подложку посредством напыления, погружения или окраски с последующими сушкой при комнатной или повышенной температуре и термообработкой для получения необходимого покрытия.

6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия, основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются на соответствующим образом установленную подложку.

Особые примечания:

а) таблица относится только к триодному, магнетронному или реакционному осаждению распылением, которое используется для увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять неметаллические материалы;

б) для активации процесса осаждения могут быть использованы низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ).

7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение включает также процессы, в которых ионная имплантация производится одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением.

Некоторые пояснения к таблице.

Следует понимать, что следующая техническая информация, сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости:

1. Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек, указанных в таблице:

1.1. Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в соответствующей ванне:

1.1.1. Состав раствора:

1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений;

1.1.1.2. Для приготовления новых подложек;

1.1.2. Время обработки;

1.1.3. Температура ванны;

1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов;

1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения приемлемости чистоты подложки;

1.3. Параметры цикла термообработки:

1.3.1. Атмосферные параметры:

1.3.1.1. Состав атмосферы;

1.3.1.2. Давление;

1.3.2. Температура термообработки;

1.3.3. Время термообработки;

1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки:

1.4.1. Параметры пескоструйной обработки:

1.4.1.1. Состав крошки, дроби;

1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби;

1.4.1.3. Скорость крошки;

1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;

1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности;

1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии;

1.5. Параметры маски:

1.5.1. Материал маски;

1.5.2. Расположение маски.

2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в таблице:

2.1. Параметры атмосферы:

2.1.1. Состав;

2.1.2. Давление;

2.2. Время;

2.3. Температура;

2.4. Толщина;

2.5. Коэффициент преломления;

2.6. Контроль состава покрытия.

3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице подложек с нанесенными покрытиями:

3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:

3.1.1. Состав дроби;

3.1.2. Размер дроби;

3.1.3. Скорость дроби;

3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки;

3.3. Параметры цикла термообработки:

3.3.1. Параметры атмосферы:

3.3.1.1. Состав;

3.3.1.2. Давление;

3.3.2. Температура и время цикла;

3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки подложки с нанесенным покрытием после термообработки.

4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с нанесенными покрытиями, указанных в таблице:

4.1. Критерии для статистической выборки;

4.2. Микроскопические критерии для:

4.2.1. Увеличения;

4.2.2. Равномерности толщины покрытия;

4.2.3. Целостности покрытия;

4.2.4. Состава покрытия;

4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;

4.2.6. Микроструктурной однородности;

4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости от длины волны):

4.3.1. Коэффициент отражения;

4.3.2. Коэффициент пропускания;

4.3.3. Поглощение;

4.3.4. Рассеяние.

5. Нижеследующие технологии и технологические параметры, относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности, указанным в таблице:

5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD):

5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия;

5.1.2. Состав газа-носителя;

5.1.3. Температура подложки;

5.1.4. Температура - время - давление циклов;

5.1.5. Управление потоком газа и подложкой;

5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом:

5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия;

5.2.2. Температура подложки;

5.2.3. Состав газа-реагента;

5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения материала;

5.2.5. Температура - время - давление циклов;

5.2.6. Управление пучком и подложкой;

5.2.7. Параметры лазера:

5.2.7.1. Длина волны;

5.2.7.2. Плотность мощности;

5.2.7.3. Длительность импульса;

5.2.7.4. Периодичность импульсов;

5.2.7.5. Источник;

5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения:

5.3.1. Состав засыпки и химическая формула;

5.3.2. Состав газа-носителя;

5.3.3. Температура - время - давление циклов;

5.4. Для плазменного напыления:

5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру (гранулометрический состав);

5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;

5.4.3. Температура подложки;

5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки;

5.4.5. Дистанция напыления;

5.4.6. Угол напыления;

5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость потока;

5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой;

5.5. Для осаждения распылением:

5.5.1. Состав мишени и ее изготовление;

5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;

5.5.3. Состав газа-реагента;

5.5.4. Напряжение смещения;

5.5.5. Температура - время - давление циклов;

5.5.6. Мощность триода;

5.5.7. Управление деталью (подложкой);

5.6. Для ионной имплантации:

5.6.1. Управление пучком и подложкой;

5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.6.4. Температура - время - давление циклов;

5.7. Для ионного осаждения:

5.7.1. Управление пучком и подложкой;

5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.7.4. Температура - время - давление циклов;

5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала;

5.7.6. Температура подложки;

5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения.

N пункта
Наименование
Код ТН ВЭД
КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА
3.1.
Системы, оборудование и компоненты
Примечания:
1. Контрольный статус оборудования и компонентов, описанных в пункте 3.1, других, нежели описаны в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8, 3.1.1.1.10 или пункте 3.1.1.1.11, и которые специально разработаны для другого оборудования или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу такого оборудования.
2. Контрольный статус интегральных схем, описанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.7, 3.1.1.1.10 или пункте 3.1.1.1.11, которые являются неизменно запрограммированными или разработанными для выполнения определенных функций другого оборудования, определяется по контрольному статусу такого оборудования.
Особое примечание.
В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус для интегральных схем определяется в соответствии с отдельными пунктами 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.7, 3.1.1.1.10 или пунктом 3.1.1.1.11
3.1.1.
Электронные изделия:
(п. 3.1.1 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.1.1.
Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения:
3.1.1.1.1.
Интегральные схемы, спроектированные или относящиеся к классу радиационно стойких, выдерживающие любое из следующих воздействий:
8542
а) суммарную дозу 5 x 103 Гр (по кремнию) [5 х 105 рад] или выше;
б) мощность дозы 5 x 106 Гр (по кремнию)/с [5 x 108 рад/с] или выше; или
в) флюенс (интегральный поток) нейтронов (соответствующий энергии в 1 МэВ) 5 x 1013 н/см2 или более по кремнию или его эквивалент для других материалов
Примечание.
Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДП-структуре);
3.1.1.1.2.
Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из полупроводниковых соединений интегральные схемы памяти, аналого-цифровые преобразователи, цифроаналоговые преобразователи, электронно-оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем логические устройства, заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны, или неизвестно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, процессоры быстрого преобразования Фурье, электрически перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства (ЭППЗУ), память с групповой перезаписью или статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие любую из следующих характеристик:
8542
а) работоспособные при температуре окружающей среды выше 398 К (125 °C);
б) работоспособные при температуре окружающей среды ниже 218 К (-55 °C); или
в) работоспособные во всем диапазоне температур окружающей среды от 218 К (-55 °C) до 398 К (125 °C)
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.2 не применяется к интегральным схемам, используемым для гражданских автомобилей и железнодорожных поездов;
3.1.1.1.3.
Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные на полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц
8542 31 901 0;
8542 31 909 0;
8542 39 909 0
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры;
3.1.1.1.4.
Следующие интегральные схемы аналого-цифровых преобразователей (АЦП) и цифроаналоговых преобразователей (ЦАП):
8542 31 901 0;
8542 31 909 0;
8542 39 901 0;
8542 39 909 0
а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик:
разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит, со скоростью на выходе более 1 млрд. слов в секунду;
разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит, со скоростью на выходе более 500 млн. слов в секунду;
разрешающую способность 12 бит или более, но менее 14 бит, со скоростью на выходе более 200 млн. слов в секунду;
разрешающую способность 14 бит или более, но менее 16 бит, со скоростью на выходе более 250 млн. слов в секунду; или
разрешающую способность 16 бит или более со скоростью на выходе более 65 млн. слов в секунду
Технические примечания:
1. Разрешающая способность n битов соответствует 2n уровням квантования.
2. Количество бит в выходном слове соответствует разрешающей способности АЦП.
3. Скоростью на выходе является максимальная скорость на выходе преобразователя независимо от структуры или выборки с запасом по частоте дискретизации.
4. Для многоканальных АЦП выходные сигналы не объединяются и скоростью на выходе является максимальная скорость на выходе любого канала.
5. Для АЦП с временным разделением каналов или многоканальных АЦП, которые в соответствии со спецификацией имеют режим с временным разделением каналов, выходные сигналы объединяются и скоростью на выходе является максимальная объединенная общая скорость на выходе всех выходных сигналов.
6. Поставщики могут также ссылаться на скорость на выходе как на частоту выборки, скорость преобразования или пропускную способность. Ее часто определяют в мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в секунду (Мвыб./с).
7. Для целей измерения скорости на выходе одно выходное слово в секунду равнозначно одному герцу или одной выборке в секунду.
8. Многоканальные АЦП определяются как устройства, которые объединяют более одного АЦП, разработанные так, чтобы каждый АЦП имел отдельный аналоговый вход.
9. АЦП с временным разделением каналов определяются как устройства, имеющие блоки с многоканальными АЦП, которые производят выборку одного и того же аналогового входного сигнала в различное время таким образом, чтобы при объединении выходных сигналов осуществлялись эффективный выбор аналогового входного сигнала и его преобразование на более высокую скорость выборки;
б) цифроаналоговые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик:
1) разрешающую способность 10 бит или более с приведенной скоростью обновления более 3,5 млрд. выборок в секунду; или
2) разрешающую способность 12 бит или более с приведенной скоростью обновления более 1,25 млрд. выборок в секунду и имеющие любое из следующего:
время установления сигнала менее 9 нс с точностью 0,024% полной шкалы от шага полной шкалы; или
динамический диапазон без паразитных сигналов (SFDR) более 68 дБнч (несущая частота) при синтезировании аналогового сигнала полной шкалы в 100 МГц или наивысшей частоты аналогового сигнала полной шкалы, определенной ниже 100 МГц
Технические примечания:
1. Динамический диапазон без паразитных сигналов (SFDR) определяется как отношение среднеквадратичного значения несущей частоты (максимального компонента сигнала) на входе ЦАП к среднеквадратичному значению следующего наибольшего компонента шума или гармонического искажения сигнала на его выходе.
2. SFDR определяется непосредственно из справочных таблиц или графиков зависимости характеристик SFDR от частоты.
3. Сигнал определяется как сигнал полной шкалы, когда его амплитуда более - 3 дБпш (полная шкала).
4. Приведенная скорость обновления для ЦАП:
а) для обычных (неинтерполирующих) ЦАП приведенная скорость обновления - скорость, на которой цифровой сигнал преобразуется в аналоговый сигнал при помощи ЦАП. ЦАП, в которых интерполяционный режим может быть обойден (коэффициент интерполяции 1), следует рассматривать как обычные (неинтерполирующие) ЦАП;
б) для интерполирующих ЦАП (ЦАП с избыточной дискретизацией) приведенная скорость обновления определяется как скорость обновления ЦАП, деленная на наименьший коэффициент интерполяции. Для интерполирующих ЦАП приведенная скорость обновления может выражаться по-разному, в том числе как:
скорость ввода данных;
скорость ввода слов;
скорость ввода выборок;
максимальная общая скорость пропускания шины;
максимальная тактовая частота ЦАП для входного тактового сигнала ЦАП;
3.1.1.1.5.
Электронно-оптические и оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие:
8542
а) один внутренний лазерный диод или более;
б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и
в) световоды;
3.1.1.1.6.
Программируемые пользователем логические устройства, имеющие любую из следующих характеристик:
8542 39 901 0
а) максимальное количество цифровых несимметричных входов/выходов - более 700; или
б) совокупную одностороннюю пиковую скорость передачи данных последовательного приемопередатчика (трансивера) 500 Гбит/с или более
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.6 включает:
простые программируемые логические устройства (ППЛУ);
сложные программируемые логические устройства (СПЛУ);
программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ);
программируемые пользователем логические матрицы (ППЛМ);
программируемые пользователем межсоединения (ППМС)
Технические примечания:
1. Исключен. - Указ Перзидента РФ от 07.04.2017 N 159
2. Максимальное количество цифровых входов/выходов, определенное в подпункте "а" пункта 3.1.1.1.6, называется также максимальным количеством пользовательских входов/выходов или максимальным количеством доступных входов/выходов, независимо от того, является ли интегральная схема заключенной в корпус или бескорпусным кристаллом.
3. Совокупная односторонняя пиковая скорость передачи данных последовательного приемопередатчика является результатом произведения пиковой скорости передачи данных последовательного одностороннего приемопередатчика на количество приемопередатчиков на программируемой пользователем вентильной матрице (ППВМ);
3.1.1.1.7.
Интегральные схемы для нейронных сетей;
8542
3.1.1.1.8.
Заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или изготовителю неизвестен статус контроля аппаратуры, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, с любой из следующих характеристик:
8542 31 901 0;
8542 31 909 0;
8542 39 901 0;
8542 39 909 0
а) более 1500 выводов;
б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,02 нс; или
в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;
3.1.1.1.9.
Цифровые интегральные схемы, иные, нежели описанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 и пункте 3.1.1.1.10, созданные на основе любого полупроводникового соединения и характеризующиеся любым из нижеследующего:
8542
а) эквивалентным количеством логических элементов более 3000 (в пересчете на элементы с двумя входами); или
б) частотой переключения выше 1,2 ГГц;
3.1.1.1.10.
Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие расчетное время выполнения комплексного N-точечного сложного быстрого преобразования Фурье менее (N log2 N)/20 480 мс, где N - количество точек
8542 31 901 0;
8542 31 909 0;
8542 39 909 0
Техническое примечание.
В случае когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.10 дает результат времени выполнения 500 мкс
3.1.1.1.11.
Интегральные схемы цифровых синтезаторов с прямым синтезом частот, имеющие любую из следующих характеристик:
8542 39 901 0;
8542 39 909 0
а) тактовую частоту цифроаналогового преобразователя (ЦАП) 3,5 ГГц или более и разрешающую способность ЦАП от 10 бит до 12 бит; или
б) тактовую частоту ЦАП 1,25 ГГц или более и разрешающую способность ЦАП 12 бит или более
(п. 3.1.1.1.11 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519; в ред. Указа
Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
Техническое примечание.
Тактовая частота ЦАП может быть определена как задающая тактовая частота или тактовая частота входного сигнала
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
Примечания:
1. Контрольный статус подложек (готовых или полуфабрикатов), на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1.
2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы:
монолитные интегральные схемы;
гибридные интегральные схемы;
многокристальные интегральные схемы;
пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире";
оптические интегральные схемы;
трехмерные интегральные схемы;
3.1.1.2.
Изделия микроволнового или миллиметрового диапазона:
3.1.1.2.1.
Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды:
3.1.1.2.1.1.
Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного действия:
8540 79 000 9
а) работающие на частотах, превышающих 31,8 ГГц;
б) имеющие элемент подогрева катода со временем выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с;
в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7% или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт;
г) спиральные лампы или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик:
мгновенную ширину полосы частот более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5;
мгновенную ширину полосы частот в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или
пригодные для применения в космосе;
3.1.1.2.1.2.
Лампы-усилители магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ;
8540 71 000 0
3.1.1.2.1.3.
Импрегнированные катоды, разработанные для электронных ламп, эмитирующие в непрерывном режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 5 А/см2
8540 99 000 0
Примечания:
1. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к лампам, разработанным или определенным изготовителем для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:
а) частота не превышает 31,8 ГГц; и
б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения.
2. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к лампам, непригодным для применения в космосе и имеющим все следующие характеристики:
а) среднюю выходную мощность, равную или меньше 50 Вт; и
б) разработанным или определенным изготовителем для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:
частота выше 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и
диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;
3.1.1.2.2.
Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик:
8542 31 300 0;
8542 31 901 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 33 900 0;
8542 39 300 0;
8542 39 901 0;
8543 90 000 0
а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15% и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 75 Вт (48,75 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 55 Вт (47,4 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,6 ГГц до 6,8 ГГц включительно;
б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 16 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10% и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 10 Вт (40 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 5 Вт (37 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 16 ГГц включительно;
в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 3 Вт (34,77 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;
г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;
д) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;
е) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) для работы на любой частоте от более 43,5 ГГц до 75 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;
ж) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 10 мВт (10 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц до 90 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 5%; или
з) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 90 ГГц
Примечания:
1. Контрольный статус ММИС, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "з" пункта 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения.
2. Пункты 1 и 2 примечаний к пункту 3.1 подразумевают, что пункт 3.1.1.2.2 не применяется к ММИС, если они специально разработаны для применения, например, в телекоммуникациях, радиолокационных станциях, автомобилях;
(примечания в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
3.1.1.2.3.
Дискретные микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик:
8541 21 000 0;
8541 29 000 0
а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 400 Вт (56 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 205 Вт (53,12 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 115 Вт (50,61 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 60 Вт (47,78 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;
б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 50 Вт (47 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 15 Вт (41,76 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 12 ГГц до 16 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 7 Вт (38,45 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно;
в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;
г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно; или
д) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 43,5 ГГц
(п. 3.1.1.2.3 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
Примечания:
1. Контрольный статус транзисторов, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.3, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения.
2. Пункт 3.1.1.2.3 включает бескорпусные транзисторы, транзисторные сборки и модули или корпусные транзисторы. Некоторые дискретные транзисторы могут также называться усилителями мощности, но контрольный статус таких дискретных транзисторов определяется пунктом 3.1.1.2.3;
3.1.1.2.4.
Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие такие усилители, имеющие любую из следующих характеристик:
8543 70 900 0
а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15% и имеющие все следующее:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 500 Вт (57 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 270 Вт (54,3 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 200 Вт (53 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 90 Вт (49,54 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;
б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10% и имеющие все следующее:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 70 Вт (48,54 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 50 Вт (47 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 30 Вт (44,77 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 12 ГГц до 16 ГГц включительно; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно;
в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;
г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 2 Вт (33 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;
д) определенные изготовителем для работы на частотах выше 43,5 ГГц и имеющие любое из следующего:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 0,2 Вт (23 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 43,5 ГГц до 75 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (13 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц до 90 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 5%; или
пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 90 ГГц; или
е) определенные изготовителем для работы на частотах выше 2,7 ГГц и имеющие все следующее:
пиковую выходную мощность в режиме насыщения Psat (Вт) большую, чем результат от деления величины 400 (Вт·Ггц2) на максимальную рабочую частоту f (ГГц) в квадрате, то есть: Psat " 400/f2 или в единицах размерности [(Вт) " (Вт·Ггц2)/ (ГГц)2];
относительную ширину полосы частот 5% или более; и
любые две взаимно перпендикулярные стороны с длиной d (см), равной или меньше, чем результат от деления величины 15 (см·ГГц) на наименьшую рабочую частоту f (ГГц), то есть: или в единицах размерности [(см) (см·ГГц) / (ГГц)]
(п. 3.1.1.2.4 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
Техническое примечание.
Для усилителей, имеющих номинальный рабочий диапазон частот, простирающийся в сторону уменьшения до 2,7 ГГц и ниже, в формуле последнего абзаца подпункта "е" пункта 3.1.1.2.4 значение наименьшей рабочей частоты f (ГГц) следует применять равным 2,7 ГГц, то есть: d 15/2,7 или в единицах размерности [(см) (см·ГГц)/ГГц]
(техническое примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
Особое примечание.
Для оценки ММИС усилителей мощности должны применяться критерии, определенные в пункте 3.1.1.2.2
(особое примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
Примечания:
1. Контрольный статус изделий, работающих более чем в одном частотном диапазоне, относящихся к более чем одной полосе частот и указанных в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.4, определяется наименьшим пороговым значением пиковой выходной мощности в режиме насыщения.
2. Пункт 3.1.1.2.4 включает приемопередающие и передающие модули;
3.1.1.2.5.
Полосовые или заградительные фильтры с электронной или магнитной перестройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5 : 1 (fmax/fmin) менее чем за 10 мкс, и имеющие любую из следующих характеристик:
8543 70 900 0
а) полосу пропускания частоты более 0,5% от резонансной частоты; или
б) полосу подавления частоты менее 0,5% от резонансной частоты;
3.1.1.2.6.
Преобразователи и смесители на гармониках, удовлетворяющие любому из следующих условий:
а) разработанные для расширения верхнего предела частотного диапазона анализаторов сигнала до уровня выше 90 ГГц;
б) разработанные для расширения следующих рабочих характеристик генераторов сигнала:
верхнего предела частотного диапазона до уровня выше 90 ГГц;
выходной мощности до уровня более 100 мВт (20 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любом участке частотного диапазона от более 43,5 ГГц до менее 90 ГГц;
в) разработанные для расширения рабочих характеристик схемных анализаторов (анализаторов цепей):
верхнего предела частотного диапазона до уровня выше 110 ГГц;
выходной мощности до уровня более 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любом участке частотного диапазона от более 43,5 ГГц до менее 90 ГГц;
выходной мощности до уровня более 1 мВт (0 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любом участке частотного диапазона от более 90 ГГц до менее 110 ГГц; или
г) разработанные для расширения верхнего предела частотного диапазона микроволновых приемников-тестеров до уровня выше 110 ГГц;
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 70 900 0
(п. 3.1.1.2.6 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.1.2.7.
Микроволновые усилители мощности СВЧ-диапазона, содержащие лампы, определенные в пункте 3.1.1.2.1, и имеющие все следующие характеристики:
8543 70 900 0
а) рабочие частоты выше 3 ГГц;
б) среднюю выходную мощность по отношению к массе, превышающую 80 Вт/кг; и
в) объем менее 400 см3
Примечание.
Пункт 3.1.1.2.7 не применяется к аппаратуре, разработанной или определенной изготовителем для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;
3.1.1.2.8.
Мощные СВЧ-модули, содержащие, по крайней мере, лампу бегущей волны, монолитную микроволновую интегральную схему и встроенный электронный стабилизатор напряжения, имеющие все следующие характеристики:
8540 79 000 9;
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 70 900 0;
8543 90 000 0
а) время включения от выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния менее 10 с;
б) физический объем ниже произведения максимальной номинальной мощности в ваттах на 10 см3/Вт; и
в) мгновенную ширину полосы частот более одной октавы (fmax"2fmin) и любое из следующего:
для частот, равных или ниже 18 ГГц, радиочастотную выходную мощность более 100 Вт; или
частоту выше 18 ГГц
Технические примечания:
1. Для подпункта "а" пункта 3.1.1.2.8 время включения относится к периоду времени от полностью выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния, то есть оно включает время готовности мощного СВЧ-модуля.
2. Для подпункта "б" пункта 3.1.1.2.8 приводится следующий пример расчета физического объема мощного СВЧ-модуля.
Для максимальной номинальной мощности 20 Вт физический объем определяется как 20 [Вт] x 10 [см3/Вт] = 200 [см3]. Это значение физического объема является контрольным показателем и сравнивается с фактическим физическим объемом мощного СВЧ-модуля;
3.1.1.2.9.
Генераторы или генераторные сборки, определенные для работы с фазовым шумом одной боковой полосы (ОБП) в единицах (дБ по шкале C шумомера)/Гц меньше (лучше) -(126 + 20 log10F - 20 log10f) в любом месте диапазона 10 Гц F 10 кГц
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 20 000 0
(п. 3.1.1.2.9 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
Техническое примечание.
В пункте 3.1.1.2.9: F - отстройка от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц;
(техническое примечание в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.1.2.10.
Электронные сборки синтезаторов частот, имеющие время переключения частоты, определенное любым из следующего:
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 20 000 0
а) менее 156 пс;
б) менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 1,6 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 4,8 ГГц, но не превышающего 10,6 ГГц;
в) менее 250 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 10,6 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц;
г) менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 43,5 ГГц;
д) менее 1 мс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 43,5 ГГц, но не превышающего 56 ГГц;
е) менее 1 мс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 56 ГГц, но не превышающего 90 ГГц; или
ж) менее 1 мс в пределах диапазона синтезированных частот, превышающего 90 ГГц
Техническое примечание.
Для целей пункта 3.1.1.2 пиковой выходной мощностью в режиме насыщения могут также называться (в соответствии со спецификацией производителя) выходная мощность, выходная мощность в режиме насыщения, максимальная выходная мощность, пиковая выходная мощность или пиковая огибающая выходная мощность
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
Особое примечание.
Для анализаторов сигналов, генераторов сигналов, схемных анализаторов и микроволновых приемников-тестеров общего назначения см. пункты 3.1.2.2, 3.1.2.3, 3.1.2.4 и 3.1.2.5 соответственно;
3.1.1.3.
Приборы на акустических волнах и специально разработанные для них компоненты:
3.1.1.3.1.
Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тонком поверхностном слое, имеющие любую из следующих характеристик:
8541 60 000 0
а) центральную частоту выше 6 ГГц;
б) центральную частоту выше 1 ГГц, но не превышающую 6 ГГц, и имеющие любую из следующих характеристик:
частотное подавление боковых лепестков более 65 дБ;
произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;
ширину полосы частот выше 250 МГц; или
дисперсионную задержку более 10 мкс; или
в) центральную частоту 1 ГГц и ниже и имеющие любую из следующих характеристик:
произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;
дисперсионную задержку более 10 мкс; или
частотное подавление боковых лепестков более 65 дБ и ширину полосы частот, превышающую 100 МГц
Техническое примечание.
Частотное подавление боковых лепестков - максимальная величина подавления, определенная в перечне технических характеристик (проспекте изделия);
3.1.1.3.2.
Приборы на объемных акустических волнах, обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах, превышающих 6 ГГц;
8541 60 000 0
3.1.1.3.3.
Акустооптические приборы обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку
8541 60 000 0
Примечание.
Пункт 3.1.1.3 не применяется к приборам на акустических волнах, ограниченным пропусканием сигнала через однополосный фильтр, фильтр низких или верхних частот или узкополосный режекторный фильтр или функцией резонирования;
3.1.1.4.
Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально разработанные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, и имеющие любое из следующего:
8540;
8541;
8542;
8543
а) переключение тока для цифровых схем, использующих сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее 10-14 Дж; или
б) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10 000;
3.1.1.5.
Нижеперечисленные мощные энергетические устройства:
3.1.1.5.1.
Элементы:
3.1.1.5.1.1.
Первичные элементы с плотностью энергии, превышающей 550 Вт·ч/кг при температуре 20 °C;
8506
3.1.1.5.1.2.
Вторичные элементы с плотностью энергии, превышающей 350 Втч/кг при температуре 20 °C
8507
Технические примечания:
1. Для целей пункта 3.1.1.5.1 плотность энергии (Вт·ч/кг) определяется произведением номинального напряжения в вольтах на номинальную емкость в ампер-часах, поделенным на массу в килограммах. Если номинальная емкость не установлена, плотность энергии определяется произведением возведенного в квадрат номинального напряжения в вольтах на длительность разряда в часах, поделенным на произведение сопротивления нагрузки разряда в омах на массу в килограммах.
2. Для целей пункта 3.1.1.5.1 "элемент" определяется как электрохимическое устройство, имеющее положительные и отрицательные электроды и электролит и являющееся источником электроэнергии. Он является основным компоновочным блоком батареи.
3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 "первичный элемент" определяется как "элемент", который не предназначен для заряда каким-либо другим источником энергии.
4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2 "вторичный элемент" определяется как "элемент", который предназначен для заряда каким-либо внешним источником энергии
Примечание.
Пункт 3.1.1.5.1 не применяется к батареям, включая батареи, содержащие один элемент;
3.1.1.5.2.
Высокоэнергетические накопительные конденсаторы:
3.1.1.5.2.1.
Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 Гц (одноразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики:
8506;
8507;
8532
а) номинальное напряжение 5 кВ или более;
б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и
в) полную энергию 25 кДж или более;
3.1.1.5.2.2.
Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и выше (многоразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики:
8506;
8507;
8532
а) номинальное напряжение 5 кВ или более;
б) плотность энергии 50 Дж/кг или более;
в) полную энергию 100 Дж или более; и
г) количество циклов заряд-разряда 10 000 или более;
3.1.1.5.3.
Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, специально разработанные на полный заряд или разряд менее чем за 1 с, имеющие все следующие характеристики:
8504 50;
8505 90 200 9
а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду;
б) внутренний диаметр токонесущих обмоток более 250 мм; и
в) номинальную магнитную индукцию более 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке более 300 А/мм2
Примечание.
Пункт 3.1.1.5.3 не применяется к сверхпроводящим электромагнитам или соленоидам, специально разработанным для медицинской аппаратуры отображения магнитного резонанса (аппаратуры магниторезонансной томографии);
3.1.1.5.4.
Солнечные элементы, сборки электрически соединенных элементов под защитным стеклом, солнечные панели и солнечные батареи, пригодные для применения в космосе, имеющие минимальное значение среднего КПД элементов более 20% при рабочей температуре 301 К (28 °C) под освещением с поверхностной плотностью потока излучения 1367 Вт/м2 при имитации условий нулевой воздушной массы (АМО)
8541 40 900 0
Техническое примечание.
АМО (нулевая воздушная масса) определяется спектральной плотностью потока солнечного света за пределами атмосферы при расстоянии между Землей и Солнцем, равном одной астрономической единице (АЕ);
3.1.1.6.
Преобразователи абсолютного углового положения вала, имеющие точность на входе в код, равную 1,0 угловая секунда или меньше (лучше);
9031 80 320 0;
9031 80 340 0
3.1.1.7.
Твердотельные импульсные силовые коммутационные тиристорные устройства и тиристорные модули, использующие методы электрического, оптического или электронно-эмиссионного управления переключением, имеющие любую из следующих характеристик:
8536 50 030 0;
8536 50 800 0;
8541 30 000 9
а) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 30 000 А/мкс и напряжение в закрытом состоянии более 1100 В; или
б) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 2000 А/мкс и все нижеследующее:
пиковое напряжение в закрытом состоянии, равное 3000 В или более; и
пиковый ток (ударный ток), равный или более 3000 А
Примечания:
1. Пункт 3.1.1.7 включает:
кремниевые триодные тиристоры;
электрические триггерные тиристоры;
световые триггерные тиристоры;
коммутационные тиристоры с интегральными вентилями;
вентильные запираемые тиристоры;
управляемые тиристоры на МОП-структуре (структуре металл - оксид - полупроводник);
солидтроны.
2. Пункт 3.1.1.7 не применяется к тиристорным устройствам и тиристорным модулям, включенным в состав аппаратуры, разработанной для применения на железнодорожном транспорте или в гражданских летательных аппаратах
Техническое примечание.
Для целей пункта 3.1.1.7 тиристорный модуль содержит одно или несколько тиристорных устройств;
3.1.1.8.
Твердотельные силовые полупроводниковые переключатели, диоды или модули, имеющие все следующие характеристики:
8504 40 820 0;
8536 50 030 0;
8536 50 050 0;
8536 50 800 0;
8541 10 000 9;
8541 21 000 0;
8541 29 000 0;
8541 30 000 9;
8541 50 000 0
а) рассчитанные для максимальной рабочей температуры p-n-перехода выше 488 К (215 °C);
б) повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (блокирующее напряжение), превышающее 300 В; и
в) постоянный ток более 1 А
Примечания:
1. Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии в пункте 3.1.1.8 включает напряжение сток - исток, выходное остаточное напряжение, повторяющееся импульсное обратное напряжение и блокирующее импульсное напряжение в закрытом состоянии.
2. Пункт 3.1.1.8 включает:
канальные полевые транзисторы с p-n-переходом (JFET);
канальные полевые транзисторы с вертикальным p-n-переходом (VJFET);
канальные полевые униполярные транзисторы на МОП-структуре (структуре металл - оксид - полупроводник) (MOSFET);
канальные полевые двойные диффузные металл-оксид полупроводниковые транзисторы (DMOSFET);
трехфазные тяговые преобразователи на транзисторных ключах (IGBN);
транзисторы с высокой подвижностью электронов (ВПЭ-транзисторы) (HMET);
биполярные плоскостные транзисторы (BJT);
тиристоры и управляемые кремниевые выпрямители (диоды) (SCR);
высоковольтные полупроводниковые запираемые тиристоры (GTO);
тиристоры с эмиттерами включения (ETO);
регулируемые резистивные диоды (PIN-диоды);
диоды Шоттки.
3. Пункт 3.1.1.8 не применяется к переключателям, диодам или модулям, включенным в состав аппаратуры, разработанной для применения на железнодорожном транспорте, в гражданских автомобилях или в гражданских летательных аппаратах
Техническое примечание.
Для целей пункта 3.1.1.8 модуль содержит один или несколько твердотельных силовых полупроводниковых переключателей или диодов
3.1.2.
Нижеперечисленные электронные сборки, модули и аппаратура общего назначения и принадлежности для них:
(п. 3.1.2 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.2.1.
Записывающая аппаратура и осциллографы:
(п. 3.1.2.1 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
Особое примечание.
Для приборов преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов см. пункт 3.1.2.7;
(особое примечание введено Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.2.1.1 - 3.1.2.1.4.
Исключены. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519
3.1.2.1.5.
Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
Технические примечания. Исключены. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
3.1.2.1.6.
Устройства записи цифровых данных, удовлетворяющие всем следующим условиям:
8471 50 000 0;
8471 60;
8471 70 200 0;
8471 70 300 0;
8471 70 500 0;
8519 89 900 9;
8521 90 000 9;
8522 90 490 0;
8522 90 800 0;
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0
а) обладающие устойчивой пропускной способностью диска или твердотельной памяти более 6,4 Гбит/с; и
б) использующие процессор, выполняющий анализ параметров радиочастотного сигнала одновременно с его записью
(п. 3.1.2.1.6 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
Технические примечания:
1. Для устройств записи с архитектурой на параллельной шине пропускная способность - произведение наивысшей скорости записи слов на количество бит (разрядов) в слове.
2. Пропускная способность - наивысшая скорость, с которой устройство может производить запись на диск или в твердотельную память без потери информации при сохранении скорости ввода данных или дискретизации;
(технические примечания в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.2.1.7.
Осциллографы, работающие в реальном масштабе времени, имеющие среднеквадратичное напряжение собственных шумов по вертикальной оси менее 2% полной шкалы при вертикальной настройке, обеспечивающей минимальный уровень шума в полосе пропускания 60 ГГц на канал или более по уровню 3 дБ на любом из выходов
9030 20
(п. 3.1.2.1.7 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
Примечание.
Пункт 3.1.2.1.7 не применяется к стробоскопическим осциллографам эквивалентного времени;
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
3.1.2.2.
Анализаторы сигналов:
3.1.2.2.1.
Анализаторы сигналов, имеющие разрешающую способность 3 дБ для ширины полосы пропускания более 10 МГц в любой точке частотного диапазона выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц;
9030 84 000 9;
9030 89 300 0
3.1.2.2.2.
Анализаторы сигналов, имеющие отображаемый на дисплее средний уровень шума (ОСУШ) меньше (лучше) -150 дБм/Гц в любой точке частотного диапазона выше 43,5 ГГц, но не превышающего 90 ГГц;
9030 84 000 9;
9030 89 300 0
(п. 3.1.2.2.2 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.2.2.3.
Анализаторы сигналов, способные анализировать сигналы с частотой выше 90 ГГц;
9030 84 000 9;
9030 89 300 0
3.1.2.2.4.
Анализаторы сигналов, имеющие все следующие характеристики:
9030 20 300 9;
9030 32 000 9;
9030 39 000 9;
9030 84 000 9;
9030 89 300 0
а) полосу частот в реальном масштабе времени, превышающую 170 МГц; и
б) стопроцентную вероятность обнаружения сигналов длительностью 15 мкс или менее со снижением менее 3 дБ от полной амплитуды вследствие промежутков или эффектов окон
Технические примечания:
1. Вероятность обнаружения, указанная в подпункте "б" пункта 3.1.2.2.4, также может называться вероятностью перехвата или захвата сигнала.
2. Для целей подпункта "б" пункта 3.1.2.2.4 длительность для стопроцентной вероятности обнаружения является эквивалентом минимальной длительности сигнала, необходимой для заданного уровня погрешности измерения
(технические примечания введены Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
Примечание.
Пункт 3.1.2.2.4 не применяется к анализаторам сигналов, использующим только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно-октавные фильтры);
3.1.2.2.5.
Анализаторы сигналов, имеющие функцию запуска по частотной маске со стопроцентной вероятностью запуска (захвата) сигналов с длительностью 15 мкс или менее;
9030 20 300 9;
9030 32 000 9;
9030 39 000 9;
9030 84 000 9;
9030 89 300 0
(п. 3.1.2.2.5 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.2.3.
Генераторы сигналов, имеющие любую из следующих характеристик:
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 20 000 0
а) определенные для создания импульсно-модулированных сигналов в любом месте диапазона частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц, имеющие все следующее:
длительность импульса менее 25 нс;
и отношение уровня генерируемого импульса к уровню просачивающегося сигнала в паузе 65 дБ или более
Техническое примечание.
Для целей абзаца первого подпункта "а" пункта 3.1.2.3 длительность импульса определяется как временной интервал от точки на переднем фронте импульса, который составляет 50% амплитуды импульса, до точки на заднем фронте импульса, который составляет 50% амплитуды импульса;
б) выходную мощность более 100 мВт (20 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в любом месте диапазона частот выше 43,5 ГГц, но не превышающего 90 ГГц;
в) время переключения частоты, определенное любым из следующего:
менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона частот выше 4,8 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц;
менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц; или
менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона частот выше 37 ГГц, но не превышающего 90 ГГц;
г) фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) в единицах (дБ по шкале C шумомера)/Гц, как определено любым из следующего:
меньше (лучше)
-(126 + 20 log10F - 20 log10f) в любом месте диапазона 10 Гц F 10 кГц в пределах диапазона частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 90 ГГц; или
меньше (лучше) -(206 - 20 log10f) в любом месте диапазона 10 кГц " F 100 кГц в пределах диапазона частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 90 ГГц; или
Техническое примечание.
В подпункте "г" пункта 3.1.2.3 F - смещение от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц
д) максимальную частоту, превышающую 90 ГГц
Примечания:
1. Для целей пункта 3.1.2.3 генераторы сигналов включают в себя генераторы импульсов произвольной формы и генераторы функций
Техническое примечание.
Максимальная частота генератора импульсов произвольной формы или генератора функций определяется путем деления частоты выборки (выборка/с) на коэффициент 2,5
2. Пункт 3.1.2.3 не применяется к аппаратуре, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты;
3.1.2.4.
Схемные анализаторы, имеющие любое из следующего:
9030 40 000 0
а) выходную мощность, превышающую 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в пределах диапазона рабочих частот выше 43,5 ГГц, но не превышающего 90 ГГц;
б) выходную мощность, превышающую 1 мВт (0 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в пределах диапазона рабочих частот выше 90 ГГц, но не превышающего 110 ГГц;
в) функцию нелинейного векторного анализа на частотах выше 50 ГГц, но не превышающих 110 ГГц; или
Техническое примечание.
Нелинейным вектором измерения функциональности является способность прибора анализировать результаты испытаний устройств, приводящих в область большого сигнала или в диапазон нелинейного искажения
г) максимальную рабочую частоту, превышающую 110 ГГц;
3.1.2.5.
Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все следующие характеристики:
8517 69 390 0
а) максимальную рабочую частоту, превышающую 110 ГГц; и
б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу;
3.1.2.6.
Атомные эталоны частоты:
3.1.2.6.1.
Пригодные для применения в космосе
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 20 000 0
Особое примечание.
В отношении атомных эталонов частоты, указанных в пункте 3.1.2.6.1, см. также пункт 3.1.1 раздела 2;
3.1.2.6.2.
Не являющиеся рубидиевыми эталонами и имеющие долговременную стабильность меньше (лучше) 1 x 10-11 в месяц;
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 20 000 0
3.1.2.6.3.
Рубидиевые эталоны, непригодные для применения в космосе и имеющие все нижеследующее:
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 20 000 0
а) долговременную стабильность меньше (лучше) 1 x 10-11 в месяц; и
б) суммарную потребляемую мощность менее 1 Вт;
3.1.2.7.
Электронные сборки, модули или оборудование, предназначенные для выполнения всего следующего:
а) аналого-цифровых преобразований, имеющих любую из следующих характеристик:
разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит при входной частоте дискретизации более 1,3 млрд. выборок в секунду;
разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит при входной частоте дискретизации более 1 млрд. выборок в секунду;
разрешающую способность 12 бит или более, но менее 14 бит при входной частоте дискретизации более 1 млрд. выборок в секунду;
разрешающую способность 14 бит или более, но менее 16 бит при входной частоте дискретизации более 400 млн. выборок в секунду; или
разрешающую способность 16 бит или более при входной частоте дискретизации более 180 млн. выборок в секунду; и
б) любых следующих действий:
вывода оцифрованных данных;
хранения оцифрованных данных; или
обработки оцифрованных данных
8471 90 000 0;
8543 70 900 0
(п. 3.1.2.7 введен Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
Особое примечание.
Устройства записи цифровых данных, осциллографы, анализаторы сигналов, генераторы сигналов, сетевые анализаторы и микроволновые приемники-тестеры определены в пунктах 3.1.2.1.6, 3.1.2.1.7, 3.1.2.3, 3.1.2.4, 3.1.2.5 и 3.1.2.6 соответственно
(особое примечание введено Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
Техническое примечание.
Контрольный статус многоканальных электронных сборок или модулей определяется наивысшими заявленными характеристиками по одному из каналов
(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
Примечание.
Пункт 3.1.2.7 включает платы АЦП, дискретизаторы аналоговых сигналов, платы сбора данных, платы обработки сигналов и устройства регистрации переходных процессов
(примечание введено Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.1.3.
Терморегулирующие системы охлаждения диспергированной жидкостью, использующие оборудование с замкнутым контуром для перемещения и регенерации жидкости в герметичной камере, в которой жидкий диэлектрик распыляется на электронные компоненты при помощи специально разработанных распыляющих сопел, применяемых для поддержания температуры электронных компонентов в пределах их рабочего диапазона, а также специально разработанные для них компоненты
8419 89 989 0;
8424 89 000 9;
8479 89 970 8
3.2.
Испытательное, контрольное и производственное оборудование
3.2.1.
Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них:
3.2.1.1.
Оборудование, разработанное для эпитаксиального выращивания:
3.2.1.1.1.
Оборудование, обеспечивающее производство слоя из любого материала, отличного от кремния, с отклонением равномерности толщины менее 2,5% на расстоянии 75 мм или более
8486 10 000 9
Примечание.
Пункт 3.2.1.1.1 включает оборудование для эпитаксиального выращивания атомного слоя;
3.2.1.1.2.
Установки (реакторы) для химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений, разработанные для эпитаксиального выращивания полупроводниковых соединений из материала, содержащего два или более из следующих элементов: алюминий, галлий, индий, мышьяк, фосфор, сурьма или азот;
8486 20 900 9
(п. 3.2.1.1.2 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
Особое примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519;
3.2.1.1.3.
Оборудование для молекулярно-эпитаксиального выращивания с использованием газообразных или твердых источников;
8486 10 900 9
3.2.1.2.
Оборудование, разработанное или оптимизированное для ионной имплантации, имеющее любую из следующих характеристик:
8486 20 900 9
а) энергию пучка 20 кэВ или более и силу тока пучка 10 мА или более для водородных, дейтериевых или гелиевых имплантатов;
б) возможность непосредственного формирования рисунка;
в) энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока пучка 45 мА или более для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала; или
г) энергию пучка 20 кэВ или более и силу тока пучка 10 мА или более для имплантации кремния в подложку полупроводникового материала, нагретую до температуры 600 °C или более;
(п. 3.2.1.2 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
3.2.1.3.
Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
3.2.1.4 - 3.2.1.4.2.
Исключены. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519;
3.2.1.5.
Автоматически загружаемые многокамерные системы с центральным транспортно-загрузочным устройством для пластин (подложек), имеющие все следующее:
8456 10 00;
8456 40 000 0;
8456 90 000 0;
8479 50 000 0;
8486 20 900 2;
8486 20 900 3
а) средства сопряжения для загрузки и выгрузки пластин (подложек), разработанные для возможности присоединения более двух отличных по функциональным возможностям инструментов для обработки полупроводников, определенных в пункте 3.2.1.1.1, 3.2.1.1.2, 3.2.1.1.3 или 3.2.1.2; и
б) разработанные для создания интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин (подложек) в вакууме
Технические примечания:
1. Для целей пункта 3.2.1.5 инструменты для обработки полупроводников относятся к инструментам модульной конструкции, которые обеспечивают такие, отличные по функциональности, физические процессы производства полупроводников, как осаждение, имплантация или термообработка.
2. Для целей пункта 3.2.1.5 многопозиционная обработка пластин (подложек) означает возможность обрабатывать каждую пластину (подложку) с помощью различных инструментов для обработки полупроводников, например, путем передачи каждой пластины (подложки) от первого инструмента ко второму и далее к третьему посредством автоматически загружаемых многокамерных систем с центральным транспортно-загрузочным устройством
Примечание.
Пункт 3.2.1.5 не применяется к автоматическим роботизированным системам для загрузки-разгрузки пластин (подложек), специально разработанным для параллельной обработки пластин (подложек);
3.2.1.6.
Оборудование для литографии:
3.2.1.6.1.
Оборудование для обработки пластин с использованием методов оптической или рентгеновской литографии с пошаговым совмещением и экспозицией (непосредственно на пластине) или сканированием (сканер), имеющее любое из следующего:
8443 39 390 0
а) источник света с длиной волны короче 193 нм; или
б) возможность формирования рисунка с минимальным разрешаемым размером элемента 45 нм и менее
Техническое примечание.
Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР) рассчитывается по следующей формуле:
МРР = (длина волны источника света в нанометрах) x (К фактор) / (числовая апертура), где К фактор = 0,35;
3.2.1.6.2.
Литографическое оборудование для печати, способное создавать элементы размером 45 нм или менее
8443 39;
8486 20 900
Примечание.
Пункт 3.2.1.6.2 включает:
а) инструментальные средства для микроконтактной литографии;
б) инструментальные средства для горячего тиснения;
в) литографические инструментальные средства для нанопечати;
г) литографические инструментальные средства для поэтапной и мгновенной печати;
3.2.1.6.3.
Оборудование, специально разработанное для изготовления шаблонов, удовлетворяющее всем следующим условиям:
а) использующее отклоняемый сфокусированный электронный, ионный или лазерный пучок; и
б) имеющее любую из следующих характеристик:
полную ширину пятна на полувысоте пучка менее 65 нм и на поверхности размещения изображения менее 17 нм (с вероятностью +3 сигма); или
погрешность совмещения второго слоя менее 23 нм (с вероятностью +3 сигма) на шаблоне;
8456 11 000 0;
8456 12 000 0;
8486 20 900 3;
8486 40 000 1
(п. 3.2.1.6.3 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.2.1.6.4.
Производственное оборудование, разработанное для прямого формирования рисунка на подложке, удовлетворяющее всем следующим условиям:
а) использующее отклоняемый сфокусированный электронный пучок; и
б) имеющее любую из следующих характеристик:
минимальный диаметр пучка 15 нм или менее; или
погрешность совмещения второго слоя менее 27 нм (с вероятностью +3 сигма);
8456 11 000 0;
8456 12 000 0;
8486 20 900 3;
8486 40 000 1
(п. 3.2.1.6.4 введен Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.2.1.7.
Маски и промежуточные шаблоны, разработанные для производства интегральных схем, определенных в пункте 3.1.1;
8486 90 900 3
3.2.1.8.
Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем, не определенные в пункте 3.2.1.6 и имеющие любое из следующего:
8486 90 900 3
а) выполненные на заготовке подложки шаблона из стекла и определенные производителем как имеющие двойное лучепреломление менее 7 нм/см;
б) разработанные для применения в литографическом оборудовании, имеющем длину волны источника оптического излучения менее 245 нм
(п. 3.2.1.8 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
Примечание.
Пункт 3.2.1.8 не применяется к многослойным шаблонам с фазосдвигающим слоем, разработанным для изготовления запоминающих устройств, не определенных в пункте 3.1.1;
3.2.1.9.
Литографические шаблоны для печати, разработанные для интегральных схем, определенных в пункте 3.1.1
8486 90 900 3
3.2.2.
Оборудование, специально разработанное для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально разработанные для этого компоненты и приспособления:
3.2.2.1.
Для измерения S-параметров транзисторных приборов на частотах выше 31,8 ГГц;
9031 80 380 0
3.2.2.2.
Для испытания микроволновых интегральных схем, определенных в пункте 3.1.1.2.2
9030;
9031 20 000 0;
9031 80 380 0
3.3.
Материалы
3.3.1.
Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов:
3.3.1.1.
Кремний (Si);
3818 00 100 0;
3818 00 900 0
3.3.1.2.
Германий (Ge);
3818 00 900 0
3.3.1.3.
Карбид кремния (SiC); или
3818 00 900 0
3.3.1.4.
Соединения III - V на основе галлия или индия
3818 00 900 0
Примечание.
Пункт 3.3.1.4 не применяется к подложкам, имеющим один эпитаксиальный слой P-типа или более на основе соединений GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AllnP или InGaAlP, независимо от последовательности элементов, за исключением случаев, когда эпитаксиальный слой P-типа находится между слоями N-типа
(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
3.3.2.
Резисты, определенные ниже, а также подложки, покрытые ими:
3.3.2.1.
Резисты, разработанные для полупроводниковой литографии:
3824 84 000 0;
3824 85 0000 0;
3824 86 000 0;
3824 87 000 0;
3824 88 000 0;
3824 99 920 3;
3824 99 920 9;
3824 99 930 9;
3824 99 960 9
а) позитивные резисты, приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны в диапазоне от 15 нм до 245 нм;
б) резисты, приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны в диапазоне от более 1 нм до 15 нм;
3.3.2.2.
Все резисты, разработанные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/мм2 или лучше;
3824 84 000 0;
3824 85 0000 0;
3824 86 000 0;
3824 87 000 0;
3824 88 000 0;
3824 99 920 3;
3824 99 920 9;
3824 99 930 9;
3824 99 960 9
3.3.2.3.
Исключен. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519;
3.3.2.4.
Все резисты, оптимизированные под технологии формирования рисунка
3824 84 000 0;
3824 85 0000 0;
3824 86 000 0;
3824 87 000 0;
3824 88 000 0;
3824 99 920 3;
3824 99 920 9;
3824 99 930 9;
3824 99 960 9
Техническое примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519
3.3.2.5.
Все резисты, разработанные или приспособленные для применения с оборудованием для литографической печати, определенным в пункте 3.2.1.6.2 и использующим процесс термообработки или светоотверждения
3824 84 000 0;
3824 85 0000 0;
3824 86 000 0;
3824 87 000 0;
3824 88 000 0;
3824 99 920 3;
3824 99 920 9;
3824 99 930 9;
3824 99 960 9
3.3.3.
Следующие органо-неорганические соединения:
3.3.3.1.
Металлоорганические соединения алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы более 99,999%;
2931 10 000 0;
2931 20 000 0;
2931 39 000 0;
2931 90 800 9
3.3.3.2.
Органические соединения мышьяка, сурьмы и фосфорорганические соединения с чистотой основы неорганического элемента более 99,999%
2931 10 000 0;
2931 20 000 0;
2931 39 000 0;
2931 90 800 9
Примечание.
Пункт 3.3.3 применяется только к соединениям, металлический, частично металлический или неметаллический элемент в которых непосредственно связан с углеродом органической части молекулы
3.3.4.
Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту более 99,999%, даже будучи растворенными в инертных газах или водороде
2850 00 200 0;
2853 90 900 0
Примечание.
Пункт 3.3.4 не применяется к гидридам, содержащим 20% или более молей инертных газов или водорода
3.3.5.
Полупроводниковые подложки из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия (AlGaN) или слитки, були, а также другие преформы из указанных материалов, имеющие удельное сопротивление более 100 Ом·м при 20 °C
3818 00 900 0
3.3.6.
Подложки, определенные в пункте 3.3.5, содержащие по крайней мере один эпитаксиальный слой из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия (AlGaN)
3818 00 900 0
3.4.
Программное обеспечение
3.4.1.
Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, определенного в пунктах 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или 3.2
3.4.2.
Программное обеспечение, специально разработанное для применения оборудования, определенного в пунктах 3.2.1.1 - 3.2.1.6 или 3.2.2
3.4.3.
Физически обоснованное программное обеспечение моделирования, специально разработанное для разработки процессов литографии, травления или осаждения в целях воплощения маскирующих шаблонов в конкретные топографические рисунки на проводниках, диэлектриках или полупроводниках
Техническое примечание.
Под термином "физически обоснованное" в пункте 3.4.3 понимается использование вычислений для определения последовательности физических факторов и результатов воздействия, основанных на физических свойствах (например, температура, давление, коэффициент диффузии и полупроводниковые свойства материалов)
Примечание.
Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для разработки полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология
3.4.4.
Программное обеспечение, специально разработанное для разработки оборудования (систем), определенного в пункте 3.1.3
3.5.
Технология
3.5.1.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку для разработки или производства оборудования, определенного в пункте 3.1 или 3.2, или материалов, определенных в пункте 3.3
Примечание.
Пункт 3.5.1 не применяется к технологиям для:
а) производства оборудования (систем) или компонентов, определенных в пункте 3.1.3;
б) разработки или производства интегральных схем, определенных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и имеющих все следующее:
использующих технологии при разрешении 0,130 мкм или выше (хуже); и
содержащих многослойные структуры с тремя металлическими слоями или менее
3.5.2.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку другие по сравнению с теми, которые определены в пункте 3.5.1, для разработки или производства ядра микросхем микропроцессора, микроЭВМ или микроконтроллера, имеющих арифметико-логическое устройство с длиной выборки 32 бит или более и любые из нижеприведенных особенностей или характеристик:
а) блок векторного процессора, предназначенный для выполнения более двух вычислений с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32-разрядными или более массивами) одновременно
Техническое примечание.
Блок векторного процессора является процессорным элементом со встроенными операторами, которые выполняют многочисленные вычисления с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32-разрядными или более массивами) одновременно, имеющим, по крайней мере, одно векторное арифметико-логическое устройство и векторные регистры с числом элементов не менее 32 в каждом;
б) разработанных для выполнения более четырех 64-разрядных или более операций с плавающей запятой, проходящих за цикл; или
в) разработанных для выполнения более восьми 16-разрядных операций умножения с накоплением с фиксированной запятой, проходящих за цикл (например, цифровая обработка аналоговой информации, которая была предварительно преобразована в цифровую форму, также известная как цифровая обработка сигналов)
Примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
Примечания:
1. Пункт 3.5.2 не применяется к технологиям мультимедийных расширений.
2. Пункт 3.5.2 не применяется к технологиям разработки или производства ядер микропроцессоров, имеющих все следующее:
использующих технологии с разрешением 0,130 мкм или выше (хуже); и
содержащих многослойные структуры с пятью или менее металлическими слоями.
3. Пункт 3.5.2 включает технологии для процессоров цифровой обработки сигналов и цифровых матричных процессоров
(примечания в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
3.5.3.
Прочие технологии разработки или производства:
а) вакуумных микроэлектронных приборов;
б) полупроводниковых электронных приборов на гетероструктурах, таких как транзисторы с высокой подвижностью электронов, биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках
Примечание.
Подпункт "б" пункта 3.5.3 не применяется к технологиям для транзисторов с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц, и биполярных транзисторов на гетероструктуре (ГБТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц;
в) сверхпроводящих электронных приборов;
г) подложек из алмазных пленок для электронных компонентов;
д) подложек из структур кремния на диэлектрике (КНД-структур) для интегральных схем, в которых диэлектриком является диоксид кремния;
е) подложек из карбида кремния для электронных компонентов;
ж) электронных вакуумных ламп, работающих на частотах 31,8 ГГц или выше
КАТЕГОРИЯ 4. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА
Примечания:
1. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, задействованные в телекоммуникациях или локальных вычислительных сетях, должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 1 категории 5 (Телекоммуникации).
2. Устройства управления, которые непосредственно связывают шины или каналы центральных процессоров, устройства оперативной памяти или дисковые контроллеры, не рассматриваются как телекоммуникационное оборудование, описанное в части 1 категории 5 (Телекоммуникации)
Особое примечание.
Для определения контрольного статуса программного обеспечения, специально разработанного для коммутации пакетов, следует применять пункт 5.4.1
3. Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
4.1.
Системы, оборудование и компоненты
4.1.1.
ЭВМ и сопутствующее оборудование, специально разработанные, чтобы отвечать любому из нижеприведенных условий, а также электронные сборки и специально разработанные компоненты для них:
8471
а) быть определенными изготовителем для работы при температуре внешней среды ниже 228 К (-45 °C) или выше 358 К (85 °C); или
Примечание.
Подпункт "а" пункта 4.1.1 не применяется к ЭВМ, специально разработанным для гражданских автомобилей, железнодорожных поездов или гражданских летательных аппаратов
б) быть радиационно стойкими при превышении любого из определенных ниже требований:
1) общей дозы 5 x 103 Гр (по кремнию) [5 x 105 рад];
2) мощности дозы 5 x 106 Гр (по кремнию)/с [5 x 108 рад/с]; или 3) сбоя от однократного события 10-8 ошибок/бит/день
Примечание.
Подпункт "б" пункта 4.1.1 не применяется к ЭВМ, специально разработанным для гражданских летательных аппаратов
Особое примечание.
В отношении ЭВМ и сопутствующего оборудования, соответствующих требованиям подпункта "б" пункта 4.1.1, см. также пункт 4.1.1 раздела 2
(особое примечание в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
4.1.2.
Цифровые ЭВМ, электронные сборки и сопутствующее оборудование, определенные ниже, а также специально разработанные для них компоненты:
Примечания:
1. Пункт 4.1.2 включает:
а) векторные процессоры;
б) матричные процессоры;
в) процессоры цифровой обработки сигналов;
г) логические процессоры;
д) оборудование для улучшения качества изображения.
е) исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159.
2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования, описанных в пункте 4.1.2, определяется контрольным статусом другого оборудования или других систем в том случае, если:
а) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование необходимы для работы другого оборудования или других систем;
б) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование не являются основным элементом другого оборудования или других систем; и
Особые примечания:
1. Контрольный статус оборудования обработки сигналов или улучшения качества изображения, специально разработанного для другого оборудования с функциями, ограниченными функциональным назначением другого оборудования, определяется контрольным статусом такого оборудования, даже если первое превосходит критерий основного элемента.
2. Для определения контрольного статуса цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования для телекоммуникационной аппаратуры см. часть 1 категории 5 (Телекоммуникации)
в) технология цифровых ЭВМ и сопутствующего оборудования подпадает под действие пункта 4.5
4.1.2.1.
Исключен. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519
Примечание.
Для целей пункта 4.1.2.1 цифровые ЭВМ и сопутствующее оборудование не считаются разработанными или модифицированными для обеспечения отказоустойчивости, если в них используется любое из следующего:
а) алгоритмы обнаружения или исправления ошибок, хранимые в оперативной памяти;
б) соединение двух цифровых вычислительных машин такое, что если происходит отказ активного центрального процессора, то холостой зеркальный центральный процессор может продолжить функционирование системы;
в) соединение двух центральных процессоров посредством каналов передачи данных или с применением разделяемой памяти, для того чтобы обеспечить одному центральному процессору возможность выполнять некоторую работу, пока не откажет другой центральный процессор; тогда первый центральный процессор принимает его работу на себя, чтобы продолжить функционирование системы; или
г) синхронизация двух центральных процессоров, объединенных посредством программного обеспечения так, что один центральный процессор распознает, когда отказывает другой центральный процессор, и восстанавливает задачи, выполнявшиеся отказавшим процессором;
4.1.2.2.
Цифровые ЭВМ, имеющие приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 12,5 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ);
8471 60;
8471 70;
8471 80 000 0;
8471 90 000 0
4.1.2.3.
Электронные сборки, специально разработанные или модифицированные для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, определенное в пункте 4.1.2.2
8471 60;
8471 70;
8471 80 000 0;
8471 90 000 0
Примечания:
1. Пункт 4.1.2.3 применяется только к электронным сборкам и программируемым взаимосвязям, не превышающим пределы, определенные в пункте 4.1.2.2, при поставке в виде необъединенных электронных сборок.
2. Пункт 4.1.2.3 не применяется к электронным сборкам, специально разработанным для отдельных изделий или целого семейства изделий, максимальная конфигурация которых не превышает пределы, определенные в пункте 4.1.2.2;
Особое примечание.
Для электронных сборок, модулей или аппаратуры, выполняющих аналого-цифровые преобразования, см. пункт 3.1.2.7;
(особое примечание введено Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)
4.1.2.4.
Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
4.1.2.5.
Устройства, специально разработанные для получения общей производительности цифровых ЭВМ, объединенных с помощью внешних соединений, которые имеют однонаправленную скорость передачи данных, превышающую 2,0 Гбайт/с на канал
8471 90 000 0;
8517 61 000 1;
8517 62 000
Примечание.
Пункт 4.1.2.5 не применяется к внутренним (например, соединительные платы, шины) или пассивным устройствам связи, контроллерам доступа к сети или контроллерам каналов связи
4.1.3.
ЭВМ, определенные ниже, и специально разработанные сопутствующее оборудование, электронные сборки и компоненты для них:
4.1.3.1.
ЭВМ с систолической матрицей;
8471
4.1.3.2.
Нейронные ЭВМ;
8471
4.1.3.3.
Оптические ЭВМ
8471
4.1.4.
Системы, оборудование и компоненты, специально разработанные или модифицированные для создания, функционирования или внедрения с использованием средств связи программного обеспечения несанкционированного доступа в компьютерные сети
8471;
8542 31 300 0;
8542 32 300 0;
8542 33 300 0;
8542 39 300 0;
8543 70 900 0
(п. 4.1.4 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519; в ред. Указа Президента РФ
от 07.04.2017 N 159)
4.2.
Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет
4.3.
Материалы - нет
4.4.
Программное обеспечение
Примечание.
Контрольный статус программного обеспечения для оборудования, указанного в других категориях, определяется по описанию соответствующей категории
4.4.1.
Программное обеспечение следующих видов:
4.4.1.1.
Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства оборудования или программного обеспечения, определенного в пункте 4.1 или 4.4 соответственно;
4.4.1.2.
Программное обеспечение иное, чем определенное в пункте 4.4.1.1, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства:
а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 6,0 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); или
б) электронных сборок, специально разработанных или модифицированных для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, указанное в подпункте "а" пункта 4.4.1.2
Особое примечание.
В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 4.4.1, см. также пункт 4.4.1 раздела 2
4.4.2.
Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
4.4.3.
Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для создания, функционирования или внедрения с использованием средств связи программного обеспечения несанкционированного доступа в компьютерные сети
(п. 4.4.3 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
Особое примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159
4.5.
Технология
4.5.1.
Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или применения оборудования или программного обеспечения, определенного в пункте 4.1 или 4.4 соответственно
4.5.2.
Технологии иные, чем определенные в пункте 4.5.1, специально разработанные или модифицированные для разработки или производства:
а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 6,0 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); или
б) электронных сборок, специально разработанных или модифицированных для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, указанное в подпункте "а" пункта 4.5.2
4.5.3.
Технологии для разработки программного обеспечения несанкционированного доступа в компьютерные сети
(п. 4.5.3 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)
Особое примечание.
В отношении технологий, указанных в пунктах 4.5.1 и 4.5.2, см. также пункт 4.5.1 раздела 2

Техническое примечание по определению приведенной пиковой производительности (ППП).

ППП - приведенная пиковая скорость, на которой цифровые ЭВМ выполняют 64-разрядные или более операции сложения и умножения с плавающей запятой.

Сокращения, используемые в настоящем техническом примечании:

n - количество процессоров в цифровой ЭВМ

i - номер процессора (i, ... n)

ti - время цикла процессора (ti = 1/Fi)

Fi - частота процессора

Ri - пиковая скорость вычисления с плавающей запятой

Wi - коэффициент согласования с архитектурой.

ППП выражается во взвешенных ТераФЛОПС (ВТ) - триллионах (1012) приведенных операций с плавающей запятой в секунду.

Схема способа вычисления ППП:

1. Для каждого процессора i определяется максимальное количество 64-разрядных или более операций с плавающей запятой (ОПЗi), выполняемых за цикл каждым процессором цифровой ЭВМ.

Примечание.

При определении ОПЗ учитываются только 64-разрядные или более операции сложения и (или) умножения с плавающей запятой за цикл процессора. Операции, требующие многочисленных циклов, могут быть выражены в дробных результатах за цикл процессора. Для процессоров, неспособных выполнять вычисления с 64-разрядными или более операциями с плавающей запятой, эффективная скорость вычисления R равна нулю.

2. Вычисляется скорость с плавающей запятой R для каждого процессора:

Ri = ОПЗi/ti.

3. Вычисляется ППП следующим образом:

.

4. Для векторных процессоров - Wi = 0,9, для невекторных процессоров - Wi = 0,3.

Примечания:

1. Для процессоров, которые выполняют составные операции в цикле, такие как сложение и умножение, считается каждая операция.

2. Для конвейерного процессора эффективная скорость вычисления R выше конвейерной скорости при загруженном конвейере или неконвейерной скорости.

3. Скорость вычисления R каждого содействующего процессора должна быть рассчитана по его максимальной теоретически возможной величине перед определением ППП всей комбинации процессоров. Одновременные операции считаются таковыми, когда производитель ЭВМ заявляет в руководстве пользователя или документации к ЭВМ о совпадающих, параллельных или одновременных операциях или процессах исполнения процессором команд программы.

4. При вычислении ППП не учитываются процессоры, ограниченные входными/выходными и периферийными функциями (например, дисководы, устройства связи и мониторы).

5. Значения ППП не следует вычислять для комбинаций процессоров, объединенных локальными сетями, глобальными сетями, совместно используемыми соединениями/устройствами ввода/вывода, контроллерами ввода/вывода и любыми коммуникационными соединениями, осуществляемыми при помощи программного обеспечения.

6. Значения ППП должны вычисляться для комбинаций процессоров, содержащих специально разработанные процессоры для повышения производительности путем объединения одновременно работающей и совместно используемой памяти.

(п. 6 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

Технические примечания:

1. Объединение всех процессоров и ускорителей, работающих одновременно и расположенных на одной матрице.

2. Комбинации процессоров могут достигаться путем использования электронных сборок, определенных в пункте 4.1.2.3, и используют память, когда любой из процессоров способен получить доступ к любой ячейке памяти в системе посредством передачи аппаратным средством строк кэша или слов памяти без привлечения какого-либо программного механизма.

(технические примечания в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

7. Векторный процессор определяется как процессор со встроенными командами, который выполняет многочисленные вычисления с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 64-разрядными и более массивами) одновременно, имеющий по крайней мере два векторных функциональных устройства и восемь регистров для хранения векторов емкостью по крайней мере 64 элемента каждый.